納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi68515，專為驅(qū)動(dòng)高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET，IGBT而設(shè)計(jì)，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器、伺服、機(jī)器人，空調(diào)壓縮機(jī)，新能源汽車主驅(qū)，光伏逆變器、儲(chǔ)能、UPS、高功率電源等領(lǐng)域。
NSi68515輸入方式兼容光耦輸入，且輸入端與輸出端采用雙電容增強(qiáng)隔離技術(shù)，基于納芯微Adaptive OOK編碼技術(shù), 支持150kV/μs的最小共模瞬變抗擾度（CMTI），提高系統(tǒng)魯棒性。
NSi68515產(chǎn)品特性：
- 具備超強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以提供最大5A的拉灌電流
- 提供軌到軌輸出和非軌到軌輸出兩個(gè)版本
- 輸入側(cè)電源電壓VCC：3V至5.5V
- 輸入方式兼容光耦電流型輸入，可耐-6.5V反向電壓
- 驅(qū)動(dòng)器側(cè)電源正壓軌VCC2：高達(dá)35V
- 驅(qū)動(dòng)器側(cè)電源負(fù)壓軌VEE2：高達(dá)-17.5V
- 超高的最小共模抗擾能力(CMTI)：150 kV/us
- 提供完善的保護(hù)功能
◇ 快速過(guò)流和短路保護(hù)，DESAT閾值電壓6.5V
◇ 集成故障時(shí)的軟關(guān)斷功能，軟關(guān)斷電流140mA
◇ 集成米勒鉗位功能，鉗位電流高達(dá)：4.5A
◇ 高壓側(cè)和低壓側(cè)均有獨(dú)立的供電欠壓保護(hù)功能UVLO
◇ 故障報(bào)警 (FLT / ULVO引腳指示)
◇ 可支持故障自動(dòng)復(fù)位版本選擇
- 典型傳播延時(shí)：100ns
- 工作環(huán)境溫度：-40℃ ~ 125℃
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型：SOW16, 爬電距離>8mm
NSi68515 CMTI高，領(lǐng)先行業(yè)水平，提高了系統(tǒng)的抗干擾能力
行業(yè)內(nèi)常見(jiàn)的帶保護(hù)的光耦隔離驅(qū)動(dòng)IC，CMTI 一般在35KV/us。隨著系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)頻率和母線電壓的提高，以及SiC MOSFET的普及使用， 系統(tǒng)的dv/dt 急劇上升，這對(duì)隔離驅(qū)動(dòng)的抗干擾能力(CMTI)提出了更高的要求。如果隔離驅(qū)動(dòng)IC 的CMTI只有35KV/us，顯然已經(jīng)很難滿足系統(tǒng)的要求。而NSi68515 CMTI 大于150KV/us，能夠有效提高系統(tǒng)的抗干擾能力。納芯微基于NSi68515做了靜態(tài)CMTI和動(dòng)態(tài)CMTI 摸底實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果是218KV/us均PASS；而同樣的測(cè)試條件下，普通的光耦隔離驅(qū)動(dòng)在30KV/us左右便已經(jīng)Fail。
NSi68515 短路保護(hù)時(shí)間快，提高了管子的魯棒性
當(dāng)IGBT 和 SiC MOSFET正常開(kāi)通時(shí)，是在飽和區(qū)進(jìn)行工作的；但當(dāng)IGBT 和 SiC MOSFET在開(kāi)通過(guò)程中，發(fā)生過(guò)流或者上下管短路的時(shí)候，電流便會(huì)急劇增大，就會(huì)退出飽和區(qū)，VCE也隨之增大，如果不及時(shí)關(guān)斷IGBT 和 SiC MOSFET，則會(huì)導(dǎo)致管子損壞或者使用壽命變短。NSi68515 通過(guò)DESAT 引腳檢測(cè)管子的VCE 電壓來(lái)判斷管子短路和過(guò)流，當(dāng)檢測(cè)到管子異常后，能夠快速關(guān)斷管子，防止管子損壞。此外，NSi68515 DESAT引腳內(nèi)部還做了濾波處理，防止系統(tǒng)誤觸發(fā)。
NSi68515產(chǎn)品選型表
