2023 年 11 月 6 日， Cambridge GaN Devices (CGD) ，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 與群光電能科技有限公司和英國劍橋大學技術服務部 (CUTS) 簽署了三方協議，共同設計和開發使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統整體解決方案提供商，專注于各種應用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設備和服務器/云解決方案。劍橋大學高壓微電子和傳感器 (HVMS) 小組負責人 Florin Udrea 教授將代表 CUTS 擔任首席顧問。劍橋大學的 HVMS 小組在功率器件設計、TCAD 仿真和功率器件表征方面擁有 25 年的歷史。三方將圍繞一個名為“采用先進 GaN 解決方案的創新低功率和高功率 SMPS（開關模式電源）”的技術項目展開合作。

CGD 首席執行官 Giorgia Longobardi 和首席技術官 Florin Udrea 與劍橋大學淵源深厚，Florin Udrea 仍是 HVMS 小組負責人，因此 CGD 與劍橋大學有著悠久且緊密的聯系。群光電能科技是處于技術創新前沿的開關模式電源領域的全球領先企業，劍橋大學的 HVMS 小組以其在功率半導體器件方面的研究和創新而聞名。因此，這次合作代表著囊括系統和應用、研究和設備方面專業知識的重要 GaN 生態系統的成立。該項目預計將為筆記本電腦提供高效、高密度適配器的 SMPS 原型，以及 Titanium+ 效率/高功率密度（> 100W/立方英寸）CRPS 和 OCP 電源架 (3k ~ 6kW) 電源單元，以用于數據中心和人工智能服務器應用。

Giorgia Longobardi | CGD 首席執行官：“群光電能科技是全球領先的   SMPS 制造商之一，因此該協議代表了   CGD 在為客戶和整個社會提供高效功率器件技術的歷程中將再次取得一項了不起的成就。我們的業務與劍橋大學世界知名的   HVMS 小組的強勢聯合，將加速高能量密度電源解決方案在廣泛應用中的開發和采用。”

曾國華 | 群光電能科技總裁：“群光電能科技打算與 CGD 和 HVMS 合作，因為他們在 GaN 方面擁有豐富的專業知識。CGD 已經交付了第二代 ICeGaN? 系列產品，該器件在堅固性和易用性方面表現十分優異。CGD 起源于劍橋大學并始終與劍橋大學保持緊密聯系，該公司擁有 25 年的學術經驗，遠遠超過許多其他成熟的 GaN 公司。”

最近，CGD 推出了第二代 ICeGaN? 650 V 氮化鎵產品（H2系列）。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點，過壓穩健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實現 dV/dt 抑制和 ESD 保護。與上一代器件一樣，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管可以使用商用工業柵極驅動器輕松驅動。最后，與硅器件相比，ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍。這大大降低了開關損耗，并相應減小了尺寸和重量。