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Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

專(zhuān)業(yè)研發(fā)提供節(jié)省空間的PoE ASFET和EMC優(yōu)化型NextPowerS3 MOSFET
2024-03-01
來(lái)源:Nexperia

  奈梅亨,2024年2月29日:Nexperia再次在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍,可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應(yīng)用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應(yīng)用專(zhuān)用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封裝,體積縮小60%,以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET

屏幕截圖 2024-03-01 110203.png

  PoE交換機(jī)通常有多達(dá)48個(gè)端口,每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護(hù)。單個(gè)PCB上有多達(dá)96個(gè)MOSFET,小型化器件封裝尺寸的解決方案極具吸引力。為此,Nexperia發(fā)布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封裝的100 V PoE ASFET,與以前采用LFPAK33封裝的版本相比,占用的空間減少了60%。這些器件的一個(gè)關(guān)鍵功能是通過(guò)限制浪涌電流來(lái)保護(hù)PoE端口,同時(shí)安全地管理故障情況。為了應(yīng)對(duì)這種情況,Nexperia將這些器件的安全工作區(qū)(SOA)增強(qiáng)了3倍,而RDS(on)只有非常微小的增幅。 這些ASFET還適用于電池管理、Wi-Fi熱點(diǎn)、5G微微蜂窩和閉路電視應(yīng)用,并且可以替代智能恒溫器中的機(jī)械式繼電器等。

  由MOSFET開(kāi)關(guān)引起的EMC相關(guān)問(wèn)題通常只出現(xiàn)在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期的后期,解決這些問(wèn)題可能會(huì)產(chǎn)生額外的研發(fā)成本并延遲市場(chǎng)發(fā)布。典型的解決方案包括使用更昂貴且RDS(on)較低的MOSFET(以減慢開(kāi)關(guān)速度并吸收過(guò)多的電壓振鈴)或安裝外部電容緩沖器電路,但這種方法的缺點(diǎn)是會(huì)增加元件數(shù)量。Nexperia優(yōu)化了其40 V NextPowerS3 MOSFET,以提供與使用外部緩沖器電路可實(shí)現(xiàn)的相似的EMC性能,同時(shí)還提供更高的效率。這些MOSFET采用LFPAK56封裝,適用于各種應(yīng)用的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器電機(jī)控制器

  Nexperia MOSFET營(yíng)銷(xiāo)和產(chǎn)品部總監(jiān)Chris Boyce說(shuō)道:“通過(guò)在APEC 2024上推出我們的分立式FET解決方案的最新產(chǎn)品系列,Nexperia展示了我們?nèi)绾卫梦覀儗?zhuān)業(yè)的研發(fā)知識(shí)來(lái)提供優(yōu)化的解決方案。新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改進(jìn)的EMC性能都表明了我們堅(jiān)定支持工程師克服各種應(yīng)用挑戰(zhàn)的決心。這些創(chuàng)新凸顯了Nexperia致力于提供高效、緊湊和可靠的解決方案,幫助我們的客戶(hù)在當(dāng)今不斷發(fā)展的市場(chǎng)中取得成功。”




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