據 TheElec，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 內存的 MR MUF 工藝，與 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現了一定惡化。

經過測試，該公司得出結論，MUF 不適用于高帶寬內存 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術制造，主要用于服務器。

MUF 是一種在半導體上打上數千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的 TSV 工藝后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆疊的多個半導體牢固地固定并連接起來。

在此之前，三星已經在其現有的注冊雙列直插式內存模塊（RDIMM）中使用了熱壓非導電膜（TC NCF）技術，而 MUF 是 SK 海力士用于制造高帶寬內存（HBM）的技術（具體來說是 Mass Re-flow Molded Underfill，簡稱 MR-MUF）。

經查詢發(fā)現，MUF 是一種環(huán)氧樹脂模塑化合物，自從著 SK 海力士成功將其應用于 HBM 生產后便在芯片行業(yè)愈發(fā)受關注，業(yè)界認為該材料被認為在避免晶圓翹曲方面更有優(yōu)勢。

資料顯示，SK 海力士所使用的化合物是與 Namics 合作開發(fā)的，而消息人士稱三星則計劃與三星 SDI 合作開發(fā)自己的 MUF 化合物，目前已經訂購了 MUF 應用所需的模壓設備。

三星是世界最大的存儲半導體龍頭企業(yè)，如果三星也引入 MUF，那么 MUF 可能會成為主流技術，半導體材料市場也會發(fā)生巨大的變化，不過三星電子相關人士對此回應稱“無法確認內部技術戰(zhàn)略”。