9月12日消息，據媒體報道，SK海力士宣布，已成功開發出面向人工智能的新一代超高性能存儲器HBM4，并在全球范圍內率先建立了該產品的量產體系。
SK海力士表示：“我們成功開發出將引領AI新時代的HBM4，并憑借這一技術成果，首次在全球構建HBM4量產體系，再次彰顯了我們在AI存儲器技術領域的領導地位。”
高帶寬存儲器（HBM）通過垂直堆疊多個DRAM芯片，顯著提升了數據處理速度。該技術目前已迭代至第六代，包括HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4。
全新的HBM4采用了2048條數據傳輸通道，數量為上一代的兩倍，不僅實現帶寬翻倍，能效也提升超過40%，達到了全球領先的數據傳輸速度和能效水平。
SK海力士預測，將該產品應用于客戶系統后，可最高提升AI服務性能69%，不僅能夠從根本上緩解數據瓶頸，還可大幅降低數據中心的電力成本。
此外，HBM4的運行速度達到10Gbps以上，明顯高于JEDEC標準規定的8Gbps。
公司在HBM4開發過程中采用了自主先進的MR-MUF技術和第五代10納米級（1b）DRAM工藝，這些技術已在產品穩定性方面獲得市場認可，有助于最大限度降低量產風險。
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