8 月 12 日消息，美光首席商務官 (CBO) Sumit Sadana 在出席美國當地時間昨日舉行的 2025 年 Keybanc 技術大會時表示，定制 HBM 內存將在 HBM4 后的 HBM4E 時代正式落地。
Sumit Sadana 提到，從 HBM4 開始 HBM4 內存基礎芯片 Base Die 采用邏輯 CMOS 制程，現階段該芯片主要包含內存接口 IP；而在 HBM4E 世代一些客戶希望將 AI xPU 的特定功能電路卸載到 HBM 的 Base Die 中，提升 xPU 的芯片面積利用率，而這就誕生了所謂的“定制 HBM 內存”。
這一轉變意味著 HBM 內存不再僅是 AI xPU 的片外緩存拓展，亦是 xPU 邏輯功能的組成部分，定制 HBM 內存無法與 JEDEC 標準 HBM 直接兼容。
另一方面，HBM 基礎芯片的定制過程非常昂貴，因此除了英偉達這樣的 AI 芯片霸主外大多數 xPU 企業沒有足夠資源就單個芯片與三大 HBM 內存原廠同時建立定制合作，這意味著其定制 HBM 供應被迫鎖定在一至二家原廠上。
這一供需結構變化將深刻改變 HBM 內存市場，形成大量“特供”定制 HBM 合作。
美光同日宣布將 2025 財年第四財季（注：截至 8 月 28 日）的財務數據指引全面上調，其中營收從 107±3 億美元增至 112±1 億美元。Sumit Sadana 在解釋數據變化時表示，美光并未改變對出貨量的預期，營收指引提升與平均單價的走高有關，而這受 AI 與數據中心需求強勁、HBM 擠壓非 HBM 的 DRAM 產能影響。
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