據(jù)韓媒 DealSite 報道，SK 海力士、三星電子今年針對 HBM 內(nèi)存大幅擴產(chǎn)。不過 HBM 內(nèi)存有著良率較低等問題，難以跟上 AI 市場相關需求。

作為 AI 半導體市場搶手貨的 HBM 內(nèi)存，其采用晶圓級封裝（WLP）：在基礎晶圓上通過 TSV 硅通孔連接多層 DRAM 內(nèi)存晶圓，其中一層 DRAM 出現(xiàn)問題就意味著整個 HBM 堆棧的報廢。

▲ HBM 內(nèi)存結構示意圖。圖源 SK 海力士

以 8 層堆疊產(chǎn)品為例，如果每一次堆疊的良率均為 90%，那整體 HBM 堆棧的良率就僅有 43%，超一半 DRAM 被丟棄。而當 HBM 進入到 12 層乃至 16 層堆疊，良率則會進一步降低。

DealSite 表示，目前 HBM 內(nèi)存整體良率在 65% 左右，明顯低于傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品，而由于 WLP 的性質(zhì)，良率也難以達到 80% 乃至 90%。

另一方面，SK 海力士、三星兩家在 HBM 內(nèi)存中占主導地位的廠商，今年均大幅擴張產(chǎn)能。

據(jù)韓券商 Kiwoom Securities 估計，三星電子的 HBM 內(nèi)存月產(chǎn)能預計將從去年第二季的 2.5 萬片晶圓增加到今年第四季度的 15~17 萬片；同期，SK 海力士的月產(chǎn)能預計將從 3.5 萬片躍升至 12~14 萬片。

不過相對 AI 市場對 HBM 內(nèi)存需求，SK 海力士和三星的產(chǎn)能增幅仍顯不足：根據(jù)IT之家近日報道，SK 海力士高管再次確認今年 HBM 產(chǎn)能配額已經(jīng)售罄；另據(jù)韓媒 NEWSIS 去年末報道，三星也早已就今年產(chǎn)能完成了同大客戶的談判。