3 月 21 日消息，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出 18nm FD-SOI 工藝。該工藝支持嵌入式相變存儲器（ePCM）。
FD-SOI 即全耗盡型絕緣體上硅，是一種平面半導(dǎo)體工藝技術(shù)，可以較簡單的制造步驟實現(xiàn)優(yōu)秀的漏電流控制。
意法半導(dǎo)體表示，相較于其現(xiàn)在使用的 40nm eNVM 技術(shù)，采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 工藝大幅提升了性能參數(shù)：其在能效上提升了 50%，數(shù)字密度上提升了 3 倍，同時可容納更大的片上存儲器，擁有更低的噪聲系數(shù)。
該工藝能夠在 3V 電壓下提供多種模擬功能，包括電源管理、復(fù)位系統(tǒng)等，是 20nm 以下制程中唯一支持這些功能的技術(shù)。
同時，新的 18nm FD-SOI 工藝在抗高溫、抗輻射等方面也有出色表現(xiàn)，可用于要求苛刻的工業(yè)應(yīng)用。
意法半導(dǎo)體首款基于該制程的 STM32 MCU 將于下半年開始向選定的客戶出樣，并計劃于 2025 年下半年量產(chǎn)。
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