3D晶體管正在各種類型芯片中鋪開，3D DRAM內(nèi)存也討論了很多年，但一直沒有落地。如今三星公開的路線圖上，終于出現(xiàn)了3D DRAM。
三星的DRAM芯片制造工藝目前處于1b，后續(xù)還有1c、1d，都是10nm級(jí)別。
再往后的10nm以下節(jié)點(diǎn)，將分別命名為0a、0b、0c、0d，其中打頭的0a工藝預(yù)計(jì)2027年底-2028年初量產(chǎn)(月產(chǎn)能超過2萬塊晶圓)，0d則要到2032年。
就在進(jìn)入10nm之后，三星將全面開啟3D內(nèi)存時(shí)代，首先引入VCT(垂直通道晶體管)，看起來應(yīng)該是基礎(chǔ)的FinFET類型，而非更先進(jìn)的GAA。
大約2030-2031年的時(shí)候，三星將升級(jí)到堆疊DRAM，將多組VCT堆在一起，從而獲得更大容量、更高性能，看起來還會(huì)引入電容器作為輔助。
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