4 月 23 日消息，韓媒 The Elec 在報(bào)道中表示，預(yù)測(cè) SK 海力士將在 HBM4 內(nèi)存的基礎(chǔ)裸片（Base Die）部分采用臺(tái)積電 7nm 制程。
目前臺(tái)積電 7nm 系產(chǎn)能大部分已遷移至 6nm 變體，因此韓媒的表達(dá)更適合作為“7nm 系”制程理解。
HBM 內(nèi)存的基礎(chǔ)裸片是 DRAM 堆疊的底座，同時(shí)也作為控制器負(fù)責(zé)同處理器進(jìn)行通信。
SK 海力士上周同臺(tái)積電簽署了 HBM 內(nèi)存合作諒解備忘錄，雙方的首個(gè)合作重點(diǎn)就是 HBM 基礎(chǔ)邏輯芯片的性能改善。
SK 海力士此前在 HBM 產(chǎn)品中采用存儲(chǔ)半導(dǎo)體工藝制造基礎(chǔ)裸片；而在 HBM4 中，臺(tái)積電將采用先進(jìn)邏輯工藝為 SK 海力士代工，以實(shí)現(xiàn)更豐富的功能和更加優(yōu)異的功效，有助于滿足客戶對(duì)定制化 HBM 的需求。
SK 海力士目標(biāo)到 2026 年實(shí)現(xiàn) HBM4 內(nèi)存投產(chǎn)。
咨詢機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢持有不同于 The Elec 的看法，其在去年 11 月認(rèn)為 HBM4 的基礎(chǔ)裸片將基于 12nm 工藝。
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