6 月 24 日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》今日報道，繼獨家代工英偉達、AMD 等科技巨頭 AI 芯片之后，市場近日傳出臺積電協(xié)同旗下創(chuàng)意電子取得下世代 HBM4 關(guān)鍵的基礎界面芯片大單。
法人指出，當前 AI 需求強勁，高速運算（HPC）與高帶寬內(nèi)存（HBM）相關(guān)需求已是炙手可熱，成為市場新商機，吸引三大內(nèi)存芯片廠（IT之家注：SK 海力士、三星、美光）積極投入。當前，HBM3 / HBM3e 等 HBM 產(chǎn)能正處于供不應求的盛況。
現(xiàn)有 HBM3 / HBM3e 的容量和速度限制，導致新一代 AI 芯片存在無法發(fā)揮最大算力的風險。三大廠均不約而同拉高資本支出，開始投入下世代產(chǎn)品 HBM4 研發(fā)，目標 2025 年底量產(chǎn)，2026 年放量出貨。
另一方面，SK 海力士已宣布與臺積電沖刺 HBM4 及先進封裝商機。業(yè)界指出，創(chuàng)意已經(jīng)拿下 SK 海力士在 HBM4 芯片委托設計案訂單，預期最快明年設計定案，將依高性能或低功耗不同需求采用臺積電 12 納米及 5 納米工藝生產(chǎn)，預期下半年委托設計（NRE）開案將明顯貢獻營收，搶進 HBM 供應鏈。
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