9 月 12 日消息，三星電子今日宣布，三星首款 1 太比特四層單元（QLC）第九代 V-NAND 已正式開(kāi)始量產(chǎn)，而 1Tb TLC 產(chǎn)品已于今年 4 月開(kāi)始量產(chǎn)。

據(jù)介紹，三星 QLC 第九代 V-NAND 實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)技術(shù)突破，IT之家匯總?cè)缦拢?/p>

通道孔蝕刻技術(shù)（Channel Hole Etching），能夠基于雙堆棧架構(gòu)實(shí)現(xiàn)當(dāng)前業(yè)內(nèi)最高的單元層數(shù)。三星運(yùn)用在 TCL 第九代 V-NAND 中積累的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化了存儲(chǔ)單元面積及外圍電路，位密度比上一代 QLC V-NAND 提升約 86%。

預(yù)設(shè)模具（Designed Mold）技術(shù)，能夠調(diào)整控制存儲(chǔ)單元的字線（WL）間距，確保同一單元層內(nèi)和單元層之間的存儲(chǔ)單元的特性保持一致（V-NAND 層數(shù)越多，存儲(chǔ)單元特性越重要）；采用預(yù)設(shè)模具技術(shù)使得數(shù)據(jù)保存性能相比之前的版本提升約 20%，增強(qiáng)可靠性。

預(yù)測(cè)程序（Predictive Program）技術(shù)，能夠預(yù)測(cè)并控制存儲(chǔ)單元的狀態(tài)變化，盡可能減少不必要的操作，讓三星 QLC 第九代 V-NAND 的寫(xiě)入性能翻倍，I/O 速度提升 60%。

低功耗設(shè)計(jì)（Low-Power Design）技術(shù)，使數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約 30% 和 50%。該技術(shù)降低了驅(qū)動(dòng) NAND 存儲(chǔ)單元所需的電壓，能夠僅感測(cè)必要的位線（BL），從而盡可能減少功耗。

此外，三星還表示將擴(kuò)大 QLC 第九代 V-NAND 的應(yīng)用范圍，從品牌消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品開(kāi)始，擴(kuò)展到移動(dòng)通用閃存（UFS）、個(gè)人電腦和服務(wù)器 SSD，為包括云服務(wù)提供商在內(nèi)的客戶(hù)提供服務(wù)。