中國上海，2024年9月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。

　　最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)^[1]。在結(jié)勢壘中使用新型金屬，有助于這些新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的^[2]1.27 V（典型值）低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應(yīng)用中的設(shè)備功耗。

　　東芝將繼續(xù)壯大其SiC電源器件的產(chǎn)品線，并將一如既往地專注于提高可降低工業(yè)電源設(shè)備功耗的效率。

　　應(yīng)用：

　　-光伏逆變器

　　-電動汽車充電站

　　-工業(yè)設(shè)備UPS的開關(guān)電源

　　特性：

　　-第3代1200 V SiC SBD

　　-業(yè)界領(lǐng)先的^[2]低正向電壓：V_F＝1.27 V（典型值）（I_F＝I_F（DC））

　　-低總電容電荷：TRS20H120H的Q_C＝109 nC（典型值）（V_R＝800 V，f＝1 MHz）

　　-低反向電流：TRS20H120H的I_R＝2.0 μA（典型值）（V_R＝1200 V）

　　主要規(guī)格：

　　注：

　　[1] 改進(jìn)型結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)：該結(jié)構(gòu)將混合式PiN肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)（可在大電流下降低正向電壓）整合在JBS結(jié)構(gòu)（不僅可降低肖特基接口的電場，而且還可減少電流泄漏）中。

　　[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的東芝調(diào)查。

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