2024 年 11 月 20 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。

　　人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應商在內(nèi)的行業(yè)領導者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關鍵作用。

　　瑞薩設計并推出三款全新關鍵組件：RRG50120第二代多路復用寄存時鐘驅(qū)動器（MRCD）、RRG51020第二代多路復用數(shù)據(jù)緩沖器（MDB），和RRG53220第二代電源管理集成電路（PMIC）。此外，瑞薩還批量生產(chǎn)溫度傳感器（TS）和串行存在檢測（SPD）集線器解決方案，并為包括行業(yè)標準下一代MRDIMM在內(nèi)的各類服務器和客戶端DIMM提供全面的芯片組解決方案。作為內(nèi)存接口領域的卓越廠商，瑞薩致力于為用戶提供高質(zhì)量、高性能的產(chǎn)品和服務。

　　Davin Lee, Senior Vice President and General Manager of Analog & Connectivity and Embedded Processing表示：“AI和HPC應用對更高性能系統(tǒng)的需求持續(xù)增長。瑞薩緊跟這一趨勢，與行業(yè)領導者攜手開發(fā)下一代技術及規(guī)范。這些公司依靠瑞薩提供的專業(yè)技術知識和生產(chǎn)能力來滿足日益增長的需求。我們面向第二代DDR5 MRDIMM的最新芯片組解決方案，體現(xiàn)了瑞薩在這一市場領域的卓越地位。”

　　瑞薩RRG50120第二代MRCD用于MRDIMM，緩沖主機控制器與DRAM之間的命令/地址（CA）總線、芯片選擇和時鐘。與第一代產(chǎn)品相比，其功耗降低45%。這對于超高速系統(tǒng)的熱管理而言是一個關鍵指標。RRG51020 Gen 2 MDB是MRDIMM中使用的另一個關鍵器件，用于緩沖從主機CPU到DRAM的數(shù)據(jù)。瑞薩的新MRCD和MDB均支持高達每秒12.8吉比特（Gbps）的速度。此外，瑞薩的RRG53220下一代PMIC提供出色的電氣過壓保護和卓越的能效，并針對高電流及低電壓操作進行優(yōu)化。

　　供貨信息

　　瑞薩現(xiàn)已開始提供RRG50120 MRCD、RRG51020 MDB和RRG53220 PMIC的樣品。預計新產(chǎn)品將于2025年上半年投產(chǎn)。

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