7 月 10 日消息，JEDEC 固態技術協會 7 月 9 日發布 JESD209-6，即最新的低功耗雙倍數據速率 6（LPDDR6）標準。JESD209-6 旨在顯著提升多種應用場景（包括移動設備和人工智能）的內存速度與效率。JEDEC 稱，新版 JESD209-6 LPDDR6 標準是內存技術的重大進步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

高性能

為支持人工智能應用及其他高性能工作負載，LPDDR6 采用雙子通道架構，在保持 32 字節小訪問粒度的同時實現靈活操作。此外，LPDDR6 的主要特性還包括：

每顆芯片含 2 個子通道，每個子通道有 12 條數據信號線（DQs），以優化通道性能

每個子通道包含 4 條命令 / 地址（CA）信號，經優化減少焊球數量并提高數據訪問速度

靜態效率模式，旨在支持大容量內存配置并最大化存儲體資源利用率

靈活的數據訪問，支持實時突發長度控制，可實現 32B 和 64B 訪問

動態寫入 NT-ODT（非目標片上終端），使內存能根據工作負載需求調整 ODT，提升信號完整性

能效

為滿足不斷增長的能效需求，與 LPDDR5 相比，LPDDR6 采用更低電壓和低功耗的 VDD2 供電，并強制要求 VDD2 采用雙電源設計。其他節能特性包括：

采用交替時鐘命令輸入，提升性能與效率

低功耗動態電壓頻率調節（DVFSL），在低頻運行時降低 VDD2 電壓，減少功耗

動態效率模式，在低功耗、低帶寬場景下采用單子通道接口

支持部分自刷新和主動刷新，降低刷新功耗

安全性與可靠性

相較于上一版本標準，安全性和可靠性方面的改進包括：

每行激活計數（PRAC），支持 DRAM 數據完整性

定義隔離元模式，通過為關鍵任務分配特定內存區域，提升整體系統可靠性

支持可編程鏈路保護方案和片上糾錯碼（ECC）

能夠支持命令 / 地址（CA）奇偶校驗、錯誤清理以及內存內置自測試（MBIST），增強錯誤檢測能力和系統可靠性