8月4日消息，據(jù)臺(tái)媒《自由時(shí)報(bào)》報(bào)道，晶圓代工大廠臺(tái)積電位于高雄楠梓科學(xué)園區(qū)第一座2nm晶圓廠（P1）已經(jīng)邁入量產(chǎn)階段，月產(chǎn)能上看1萬片。高雄第二座2nm晶圓廠（P2）也已開始設(shè)備裝機(jī)，預(yù)計(jì)將于今年年底前進(jìn)行試產(chǎn)。

供應(yīng)鏈設(shè)備業(yè)者透露，臺(tái)積電今年3月31日在高雄舉行2nm擴(kuò)產(chǎn)典禮，其中主要是P2廠上梁儀式，經(jīng)過近4個(gè)月的廠房建筑趕工、建置無塵室等廠務(wù)工程后，P2廠A區(qū)近日已開始展開設(shè)備裝機(jī)，估計(jì)3-4個(gè)月后，可加入試產(chǎn)行列。B區(qū)也開始建置廠務(wù)設(shè)施。P1和P2晶圓廠規(guī)劃今年設(shè)備裝機(jī)數(shù)共可達(dá)3萬片月產(chǎn)能。 P3廠正興建中，擬生產(chǎn)2nm系列的A16制程，后續(xù)還有P4、P5廠。

臺(tái)積電位于竹科寶山F20廠也是臺(tái)積電另一個(gè)生產(chǎn)2nm制造基地。供應(yīng)鏈指出，目前F20廠區(qū)的P1廠已完成風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，展開量產(chǎn)投片，P2也已興建完工并完成裝機(jī)，預(yù)計(jì)到今年底，P1、P2廠共計(jì)建置月產(chǎn)能3萬至3.5萬片。建廠中的P3、P4廠有望切入生產(chǎn)A14制程。

所以，目前臺(tái)積電在中國(guó)臺(tái)灣已經(jīng)有4座2nm晶圓廠裝機(jī)和陸續(xù)展開試產(chǎn)，每座晶圓廠潔凈室面積是同業(yè)的2倍大。根據(jù)供應(yīng)鏈估計(jì)，明年臺(tái)積電2nm產(chǎn)能將持續(xù)開出，預(yù)估月產(chǎn)能超過6萬片。

根據(jù)臺(tái)積電公布的資料顯示，其2nm制程將會(huì)采用全新的納米片（Nanosheet，類似環(huán)繞柵極GAA晶體管）架構(gòu)，相比上一代的3nm制程，2nm在相同電壓下可以將功耗降低 24% 至 35%，或?qū)⑿阅芴岣?5%，晶體管密度提高了 1.15 倍。

此前的傳聞顯示，臺(tái)積電2nm試產(chǎn)良率已經(jīng)達(dá)到 了65%，超越了Intel 18A和三星的SF2。不過，臺(tái)積電并未透露具體的良率數(shù)據(jù)，僅表示比外界預(yù)期更好。

盡管2bn技術(shù)門檻高與生產(chǎn)更為復(fù)雜，但臺(tái)積電有信心2納米與A16將成為下一波AI芯片的關(guān)鍵技術(shù)，2nm也將推出N2P、A16等強(qiáng)化版的家族系列技術(shù)，為智能手機(jī)與高性能計(jì)算客戶更多選擇。

臺(tái)積電透露，其2nm在前兩設(shè)計(jì)定案數(shù)量將高于3nm、5nm同期的表現(xiàn)，幾乎所有創(chuàng)新的客戶都有合作， 并預(yù)估5年內(nèi)將驅(qū)動(dòng)全球達(dá)2.5萬億美元終端產(chǎn)品價(jià)值。

至于3nm制程，目前臺(tái)積電已經(jīng)進(jìn)入了量產(chǎn)的第三年，擁有N3E、N3P、N3X等多個(gè)技術(shù)版本，臺(tái)積電估計(jì)今年3nm整體產(chǎn)能將成長(zhǎng)超過60%，因技術(shù)與良率表現(xiàn)良好，連最講究品質(zhì)的車用芯片相關(guān)產(chǎn)品今年也采3nm生產(chǎn)，并已開始出貨。

財(cái)報(bào)顯示，今年二季度，3nm制程也已經(jīng)占據(jù)了臺(tái)積電營(yíng)收比重達(dá)24%，相當(dāng)貢獻(xiàn)當(dāng)季營(yíng)收約新臺(tái)幣2240億元，預(yù)期下半年將持續(xù)攀升。 接下來，臺(tái)積電2nm量產(chǎn)曲線有望與3nm相當(dāng)。

此前市場(chǎng)傳聞臺(tái)積電每片2nm晶圓價(jià)格將達(dá)3萬美元，將比3nm貴50%，有助于臺(tái)積電后續(xù)營(yíng)收與獲利增長(zhǎng)。