大家在購買DIY配件的時候，看到的內(nèi)存類型是DDR（例如DDR4、DDR5），而購買筆記本、智能手機/平板電腦等產(chǎn)品看到的卻是LPDDR（例如LPDDR4，LPDDR5，以及增強版的LPDDR5x、LPDDR5t等）。

同樣都是內(nèi)存，DDR和LPDDR有什么不一樣呢？

從應(yīng)用的場景看，DDR內(nèi)存更注重性能的釋放，架構(gòu)設(shè)計偏向于滿足高帶寬和持續(xù)高速運算的需求，這意味著DDR不僅有更高的容量，運行頻率也更高。

在使用場景方面，DDR內(nèi)存通常是將多個DRAM顆粒焊接在一塊標準化接口的直插式電路板上，即我們所說的內(nèi)存條，應(yīng)用場景方面分為臺式機、服務(wù)器和筆記本幾種型號。

LPDDR全稱是Low Power DDR，設(shè)計核心在于低功耗，它優(yōu)化了架構(gòu)、簡化電路設(shè)計并采用更先進的半導(dǎo)體制程工藝，擁有更低的工作電壓。

例如DDR5通常使用1.1V，開啟XMP甚至能達到1.4V。

而LPDDR5擁有兩種電壓模式，當系統(tǒng)有負載運行時，內(nèi)核和I/O操作的電壓分別為1.05V和0.5V，空閑時分別降至0.9V和0.3V，這對于提升電池續(xù)航是大有裨益的。

同時，LPDDR還擁有更高的存儲密度，例如最新的LPDDR5x單顆DRAM芯片就能達到32GB，滿足移動設(shè)備高集成度的要求，例如智能手機、平板電腦以及超薄筆記本或者二合一本。

不過LPDDR往往不是以直插內(nèi)存條形式存在（除了LPCAMM2），而是通過BGA焊接主板上，甚至集成在SOC上，例如蘋果Silicon和英特爾Lunar Lake移動處理器。

性能方面，通常來說LPDDR是無法與DDR相抗衡的，例如DDR5內(nèi)存條可實現(xiàn)8800MT/s以上的性能，而LPDDR5通常是在6400MT/s左右。

不過LPDDR家族中帶x后綴的產(chǎn)品在低功耗狀態(tài)下仍能實現(xiàn)較高的效能，例如聯(lián)想ThinkBook X、是榮耀MagicBook Pro 14等筆記本的LPDDR5x內(nèi)存性能已能達到8400MT/s。

總結(jié)來說，DDR內(nèi)存和LPDDR內(nèi)存的技術(shù)路線完全不同，差異源于不同使用場景的設(shè)計優(yōu)化，前者注重性能和擴展性，后者以低功耗、小體積和高效能比為核心優(yōu)勢，雖然犧牲了擴展性，但進一步減小了體積和功耗，符合移動設(shè)備的設(shè)計理念，而且?guī)в衳后綴的產(chǎn)品在性能方面表現(xiàn)甚至不遜于DDR。

不過使用LPDDR內(nèi)存的設(shè)備基本是無法擴展的，購買的時候一定要注意。