《電子技術應用》
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3G基地臺勢弱 拖累RF功率IC市場

2008-08-18
作者:電子工程專輯

  由于蜂巢式/3G基地臺的建置日益減少,因此研究機構預估未來五年內,相關的RF功率半導體元件" title="半導體元件">半導體元件市場將繼續萎縮。市調公司ABI Research的執行長Lance Wilson表示:“無線基礎設備是RF功率半導體" title="功率半導體">功率半導體的最大應用領域,包含了大范圍的蜂巢式/3G子領域,該子領域預估在2007~2012年間將以8%的年複合成長率" title="成長率">成長率下降。”

  在轉向塑膠封裝的" title="封裝的">封裝的情況下,平均銷售價格不斷下跌、效率更高的無線介面陸續出現以及基礎設備擴建,都在在影響了蜂巢式/3G的營業收入。

  ABI Research補充,4GHz以下的RF功率半導體元件市場包含其它五個重要領域,如軍事、產業/科技/醫療(ISM)、廣播、民用航空和非蜂巢式通訊,預估這些領域在2007~2012年間的年複合成長率將達9.5%,其中,軍事與ISM領域成長速度最快。總體來看,整體市場同期的成長率將只有 2.9%,主要原因來自蜂巢式/3G表現下滑。

  一些產業專家寄望WiMAX能引領產業復甦,但Wilson持謹慎態度,他表示:“盡管固定式WiMAX正在建置中,但從高功率" title="高功率">高功率RF元件的角度來看,行動WiMAX(802.16e)的前景仍然不確定,盡管具備發展潛力,但何時能大幅成長還是未知數。”


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