??? 經(jīng)常有人將磁阻RAM（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）稱作是易失性" title="易失性">易失性" title="非易失性" title="非易失性">非易失性">非易失性存儲器" title="非易失性存儲器" title="非易失性存儲器">非易失性存儲器">非易失性存儲器的關鍵技術。作為一項非易失性存儲器技術，MRAM可以在掉電時保留數(shù)據(jù)，并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料" title="磁性材料">磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒有限制的。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其它要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應用。
?
?
飛思卡爾" title="飛思卡爾">飛思卡爾擴展MRAM產(chǎn)品系列 引領非易失性存儲器的未來.pdf
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。