MOSFET能夠將導通電阻再降低一點那就棒了。電阻導致發(fā)熱，換而言之就是浪費電能。為何你們不能環(huán)保一點呢？ – 潮州怒漢上

親愛的FAE博士：

我將飛兆半導體的FET置于高頻下工作，而開關損耗成為耗電的罪魁禍首。我不理解，為何你們不能再努力一點，使器件開關所需的柵極電荷再減低一些，從而減少耗電。為何你們不能環(huán)保一點，老是要浪費這么多電能？- 深圳心煩人上

親愛的潮州怒漢和深圳心煩人：

今天你們真幸運。咖啡師給我弄了杯非常棒的拿鐵濃咖啡，還在那層厚薄恰到好處的牛奶泡沫上畫上一個心型點綴。因此，我發(fā)誓今天不會因任何事情壞了我的心情。今天可是我的好日子哦。上下班堵車？這不是問題。行人慢騰騰過街？我不會煩躁。煩人的問題？我會笑臉相迎。

我們經(jīng)常接到這樣的問題。難道還有誰比我們這群在實驗室和生產(chǎn)車間拼命工作，年復一年提供更好的MOSFET 的天才更不受人賞識的嗎？我們最近推出了首款采用Power56 封裝，電阻低于1 mOhm的30V N溝道MOSFET器件(FDMS7650)。你大概可以想象到在產(chǎn)品發(fā)布時，我們整個工程部都沉浸在狂歡之中。

好了，讓我回答這兩位朋友的問題。你認為你買的是一個MOSFET器件，但實際上，你購買的是很多個MOSFET器件(可能數(shù)百萬，甚至數(shù)千萬)，我們降低導通電阻的方法是：在裸片上填充更多的并聯(lián)晶體管。我們的品質因數(shù)是每平方厘米面積裸片的電阻值，而且我們每年都在降低這個數(shù)值。

我知道你在想什么…要利用溝槽技術來構建所有這些晶體管，最大限度地增加漏極和源極表面積，同時保持低電容，從而最大限度地降低柵極電荷需求，一定是件非常困難的事情。的確是個挑戰(zhàn)。下面是電容的基本計算公式：

圖2：基本的電容計算方法

這個計算公式提醒我們電容隨“平板”面積增加，以及平板間距離減少而增大。這意味著，當我們通過增加并聯(lián)晶體管來降低電阻的同時，電容一般也會增加。當然，我們會盡其所能…注意介電常數(shù)K值… 如果能夠減小K值，就會對我們有利。當然如果pi值提高，對我們也有利，因此，我們在呼吁國際標準化組織將pi值提高，比如是5這一類容易記憶的數(shù)值 (這就是所謂仔細無遺的工程師幽默啊)。

我們以兩種方式在市場體現(xiàn)產(chǎn)品價值；要么使用較小的裸片，以較低的成本，實現(xiàn)同樣的導通電阻；要么以相同的價格實現(xiàn)更低的導通電阻。可是可曾有人為此來電感謝我們嗎？對，很少有人會這么樣做。
我們認識到客戶對柵極電荷的需求，并通過電荷均衡來全力控制它，使其變得更小。不過從前述兩封讀者來信所見，讓所有客戶都滿意是很難的事情，但我們在繼續(xù)嘗試。

至于環(huán)保的問題，我的回應是：我小時候曾養(yǎng)過一頭土耳其安哥拉貓，它后來死于環(huán)境污染。你想，我會不關注環(huán)保嗎？好吧，如果不介意的話，我還是回去品嘗可口芬芳的拿鐵咖啡了。