電子元件相關文章 第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性 本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 （SiC） MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。 發表于：2/19/2025 瑞薩推出RA4L1 MCU，超低功耗、集成電容式觸控、段碼LCD和強大安全功能 2025 年 2 月 19 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出RA4L1微控制器（MCU）產品群，包含14款集成超低功耗、先進安全功能和段碼LCD支持的全新產品。基于支持TrustZone的80MHz Arm Cortex-M33處理器，新款MCU在性能、功能和節能方面達到了行業先進水平，為水表、智能鎖、物聯網傳感器應用等領域的設計人員提供更加卓越的解決方案選擇。 發表于：2/19/2025 村田制作所正在評估將部分生產線轉移至印度的可能性 2 月 19 日消息，彭博社今天（2 月 19 日）發布博文，報道稱全球電子元件巨頭村田制作所（Murata Manufacturing Co.）正在評估將部分生產線轉移至印度的可能性，這標志著全球供應鏈正在經歷一場深刻的變革。 發表于：2/19/2025 【回顧與展望】Molex：看好汽車對高速連接器需求持續增長 2024年，半導體市場在汽車電子、AI、消費電子和工業自動化等領域的推動下，實現了顯著復蘇和快速增長，市場競爭激烈……在2025年，半導體市場能否繼續保持增長態勢，汽車半導體、工業自動化等哪些細分領域更值得期待？日前，Molex莫仕中國銷售副總裁Roc Yang對本站記者介紹了Molex對于2025年的展望和公司的未來發展戰略。 發表于：2/13/2025 貿澤電子2024年新增逾60家供應商持續為客戶擴大產品代理陣容 專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超過60家供應商，產品代理陣容持續擴大，為廣大電子設計工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇。貿澤為客戶提供各類先進產品，讓設計人員輕松獲得各項新技術，協助其加快產品上市速度。 發表于：2/10/2025 憶阻器測試專題 憶阻器（Memristor，Memory Resistor）是繼電阻、電感和電容之后發現的第四種基本電路元件，由美國科學家Leon Chua（蔡少棠教授）在1971年首次提出概念，并于2008年由惠普實驗室實現了物理器件。憶阻器具有非易失性存儲特性，其電阻值會根據其流過的電流大小和方向發生變化，并能記住其斷電前的狀態。這種特性使憶阻器在存儲器、神經網絡模擬、邏輯電路等領域具有廣闊的應用前景。 發表于：2/8/2025 思特威推出5MP車規級CMOS圖像傳感器SC530AT 2025年2月6日，中國上海 — 思特威（上海）電子科技股份有限公司（股票簡稱：思特威，股票代碼：688213）近日宣布，推出5MP車規級圖像傳感器——SC530AT。作為思特威Automotive Sensor(AT)Series系列新品，SC530AT基于CarSens®-RS工藝技術打造，集高感度、高動態范圍、低噪聲等性能優勢于一身，為乘客檢測、兒童遺忘提醒(CPD)、寵物和遺留物體檢測等乘員監控系統(OMS)應用和車內拍照/視頻會議等車載信息娛樂系統應用帶來清晰、精準、可靠的影像。此外，SC530AT符合AEC-Q100 Grade 2認證標準，以高性能和高可靠性，進一步助力艙內監控和信息娛樂應用的升級和發展。 發表于：2/7/2025 Vishay最新推出可滿足嚴苛要求的高精度60mm感應式位置傳感器 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2025年2月6日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款適用于工業等應用于嚴苛要求的基于感應技術的新型高精度位置傳感器---RAIK060。與基于磁技術的解決方案相比，Vishay MCB RAIK060絕對值編碼器套件的厚度更薄，為5 mm，重量更輕，為15.5 g，轉速更高，達10000 rpm，而且延遲時間更短至≤ 5 μs。此外，器件對磁環境不敏感，因此可以在靠近電機的地方使用。 發表于：2/7/2025 三星電機發布全球首款用于激光雷達的超小型高容量MLCC 2 月 7 日消息，三星電機（Samsung Electro-Mechanics）于 2 月 5 日發布公告，宣布推出全球首款應用于自動駕駛激光雷達的 1005 尺寸超小型高容量多層陶瓷電容器（MLCC），型號為 CL05Y225KP66PN。 發表于：2/7/2025 憶阻器測試方案設計及選擇 憶阻器測試方案設計及選擇介紹如下： 測試方案設計 直流特性測試：通過施加不同極性和大小的電壓（電流）激勵，觀察憶阻器電阻的變化，其直流I-V特性曲線能直接反映設備在不同電壓（電流）激勵下的電阻值變化，是研究憶阻器電學特性的重要手段。通過該測試曲線，可初步研究憶阻器的電阻切換特性及閾值電壓/電流特性，并觀察其I-V、R-V等特征曲線。 發表于：2/6/2025 憶阻器完整測試所需儀器介紹 進行憶阻器完整測試通常需要以下儀器： 發表于：2/6/2025 憶阻器的重要參數介紹 憶阻器（Memristor）的重要參數主要包括以下幾個方面： 發表于：2/6/2025 憶阻器的概念 憶阻器最早由阻變存儲器，即RRAM實驗驗證，因此經常以RRAM作為憶阻器的代表。 發表于：2/6/2025 2025年MLCC供應過剩格局難以扭轉 2025年MLCC供應過剩格局難以扭轉，AI基建成需求主力 發表于：1/17/2025 英諾賽科起訴英飛凌專利侵權 1月16日晚間，國產氮化鎵大廠英諾賽科發布公告稱，本公司及本公司之全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（后者簡稱“英諾蘇州”，二者統稱“原告”）已向中國江蘇省蘇州市中級人民法院起訴英飛凌科技（中國）有限公司（以下稱“被告一”）、英飛凌科技（無錫）有限公司（以下稱“被告二”）及蘇州芯沃科電子科技有限公司（以下稱“被告三”），就202311774650.7號專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1430號》，及就202211387983.X號專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1431號》（統稱“起訴狀”）。 發表于：1/17/2025 ?12345678910…?
