EDA與制造相關文章 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領域 日本宣布嚴格管控半導體和機床等領域：防止技術外漏 5月30日消息，據媒體報道，日本經濟產業省近日宣布，將在半導體、先進電子零部件、蓄電池、機床及工業機器人、飛機零部件等五大關鍵產業領域實施更為嚴格的監管措施，以遏制技術外泄風險。 發表于：5/31/2024 三星1nm工藝量產計劃提前至2026年 三星沖刺1nm工藝！量產計劃提前至2026年 發表于：5/31/2024 三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機器已停用 5月30日消息，韓國核安全部門對三星電子展開了一項重要調查，調查起因是該公司在其一家芯片工廠內發生了一起輻射暴露事件，涉及兩名工人。 這兩名工人因手指出現“異常”的輻射癥狀被緊急送往醫院接受專業治療，目前他們已入院并正在接受更為細致的醫學檢查。盡管他們的手指呈現輻射暴露的跡象，但令人困惑的是，常規血液檢測結果顯示正常。 三星電子對此事件迅速作出反應，公開承認這兩名員工在位于韓國器興的半導體工廠中“手部意外受到X射線照射”。 發表于：5/31/2024 ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150% ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150%，可打印8nm線寬 發表于：5/31/2024 南亞科技首款1Cnm制程DRAM內存產品明年初試產 南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 明年初試產 發表于：5/30/2024 消息稱SK海力士將在1c DRAM生產中采用新型光刻膠 5 月 30 日消息，隨著 DRAM 小型化的不斷推進，SK 海力士、三星電子等公司正在致力于新材料的開發和應用。 據 TheElec，SK Hynix 計劃在第 6 代（1c 工藝，約 10nm）DRAM 的生產中使用 Inpria 下一代金屬氧化物光刻膠（MOR），這是 MOR 首次應用于 DRAM 量產工藝。 發表于：5/30/2024 十銓公布全球首款10GHz DDR5內存 5月30日消息，十銓科技(TeamGroup)宣布將在臺北電腦展2024上展示一系列存儲產品，包括超高頻DDR5內存、超緊湊CAMM2內存、超高速PCIe 5.0 SSD，等等。 DDR5內存標準誕生之初，就有廠商聲稱可以做到10GHz(10000MHz)以上的頻率，后來確實也能通過超頻達到。 十銓旗下電競品牌T-Force，通過獨家超頻技術，第一次將DDR5內存實際產品的頻率做到了10000MHz！ 這款名為“Xtreem玄境”的DDR5內存采用了2mm厚的鋁合金散熱馬甲，鰭片式設計，搭配專業導熱硅脂，將散熱片與內存緊密結合。 外型設計則是使用兩片式設計的厚實金屬，并有噴砂表面處理，還配上了極具榮耀象征的T-Force LOGO。 有趣的是，十銓提供了粉色、白色兩種配色風格。對于如此強勁的產品，“猛男粉”著實有點出格了。 發表于：5/30/2024 依賴中國制造：歐洲所有進口PCB有65%來自中國 5月29日消息，根據IPC（國際電子工業聯接協會）的最新研究，歐洲在印刷電路板（PCB）行業的全球市場份額呈現顯著下滑趨勢。 盡管PCB行業對歐洲工業至關重要，但過去20年間，其產能、能力和全球市場份額均有明顯減少。 目前，歐盟的PCB產量僅占全球的2%，與其在20世紀 發表于：5/30/2024 再獲榮譽！大聯大榮獲第七屆藍點獎之國際影響力品牌獎 2024年5月29日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股憑借著在全球市場中卓越的品牌效能和超高的行業認可度，榮獲第七屆藍點獎之國際影響力品牌獎。該獎項由深圳電子商會主辦，旨在表彰近年來在電子信息產業領域中展現國際影響力的品牌。此次獲獎既是對大聯大深耕行業所作貢獻的充分肯定，也承載著對大聯大引領中國國內市場邁向國際舞臺的重大期許。 發表于：5/29/2024 定制IP與驗證方案為高質量芯片設計打開大門 中國集成電路設計業在最近十年取得了長足的發展，這不僅體現在行業中出現了一大批成功的芯片設計企業，他們不斷努力使其產品達到了世界一流的水平，而且還體現在這些領先的中國企業已經非常善于建立完善的產業生態，產品進入了全球領先的、分布于各個行業的品牌廠商（OEM）和設計公司，同時還與各大晶圓代工企業、包括SmartDV Technologies?這樣的領先硅IP企業和EDA工具提供商建立了深入的合作關系。此外，中國本土的IP和EDA工具提供商也長足發展，開始和包括我們SmartDV這樣的領先廠商展開深度合作，共同支持中國和全球的客戶。 發表于：5/29/2024 多元化增長動能強勁 中微公司薄膜設備新品層出 多元化增長動能強勁，中微公司薄膜設備新品層出 發表于：5/29/2024 曝臺積電明年量產2nm工藝 5月29日消息，據媒體報道，臺積電將在明年量產2nm工藝，蘋果將率先使用這項先進工藝。 據爆料，臺積電2nm首次應用了GAA技術，GAA全稱Gate-All-Around，中文名為全環繞柵極晶體管，其本質上是一種新型的晶體管設計，可以在更小的制程下提供更好的性能。 在GAA晶體管中，柵極材料包圍了晶體管的源和漏，從而提供了更好的電流控制。 這可以幫助減少量子隧道效應，從而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成為可能。 發表于：5/29/2024 英特爾三星正尋求玻璃芯片技術挑戰臺積電 英特爾和三星正尋求通過采用玻璃芯片技術來挑戰臺積電的市場地位。 發表于：5/29/2024 2nm以下節點裝備競賽打響 臺積電魏哲家密訪ASML總部 2nm 以下節點裝備競賽打響，臺積電魏哲家密訪 ASML 總部 發表于：5/29/2024 消息稱全球晶圓廠整體產能利用率已達七成左右 半導體行業復蘇，消息稱全球晶圓廠整體產能利用率已達七成左右 發表于：5/29/2024 ?…9596979899100101102103104…?
