頭條 “網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞 今年的兩會(huì)已落下帷幕，“沒(méi)有網(wǎng)絡(luò)安全就沒(méi)有國(guó)家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問(wèn)題已對(duì)國(guó)家、社會(huì)及個(gè)人造成巨大威脅。 下面就一起看看對(duì)于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問(wèn)題，代表委員們都有哪些好的建議。 最新資訊 NVIDIA新中國(guó)特供芯片B30曝光 6月3日消息，據(jù)報(bào)道，NVIDIA正在為中國(guó)市場(chǎng)研發(fā)一款名為“B30”的降規(guī)版AI芯片，這款芯片將首度支持多GPU擴(kuò)展，允許用戶通過(guò)連接多組芯片來(lái)打造更高性能的計(jì)算集群。 B30芯片預(yù)計(jì)將采用最新的Blackwell架構(gòu)，使用GDDR7顯存，而非高頻寬內(nèi)存（HBM），也不會(huì)采用臺(tái)積電的先進(jìn)封裝技術(shù)。 發(fā)表于：6/3/2025 我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)四節(jié)點(diǎn)間300公里級(jí)量子直接通信網(wǎng)絡(luò) 6月2日消息，據(jù)央視新聞報(bào)道，近日我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新提出長(zhǎng)距離大規(guī)模可擴(kuò)展全連接量子直接通信理論架構(gòu)，并成功實(shí)現(xiàn)四節(jié)點(diǎn)間300公里級(jí)量子直接通信網(wǎng)絡(luò)，相關(guān)研究成果發(fā)表于《科學(xué)通報(bào)》（Science Bulletin）。 上海交通大學(xué)教授陳險(xiǎn)峰、上海電力大學(xué)教授李淵華團(tuán)隊(duì)以北京量子信息科學(xué)研究院副院長(zhǎng)、清華大學(xué)教授龍桂魯團(tuán)隊(duì)的量子直接通信理論為基礎(chǔ)，展開(kāi)了進(jìn)一步研究。 發(fā)表于：6/3/2025 臺(tái)積電CEO否認(rèn)近期擬赴阿聯(lián)酋設(shè)廠傳聞 6 月 3 日消息，在今日舉行的臺(tái)積電年度股東常會(huì)上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家就近期有關(guān)臺(tái)積電擬赴阿聯(lián)酋建設(shè)大型晶圓廠項(xiàng)目的媒體傳聞作出簡(jiǎn)短回應(yīng)：“不會(huì)”。 發(fā)表于：6/3/2025 三星挖來(lái)臺(tái)積電前高管以開(kāi)拓晶圓代工業(yè)務(wù) 6月3日消息，據(jù)韓媒Fnnews報(bào)道，三星電子為了強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力已經(jīng)聘請(qǐng)了臺(tái)積電前高管Margaret Han，擔(dān)任北美晶圓代工業(yè)務(wù)的負(fù)責(zé)人。過(guò)去Margaret Han曾在臺(tái)積電任職長(zhǎng)達(dá)21年，隨后轉(zhuǎn)戰(zhàn)英特爾及恩智浦等半導(dǎo)體大廠。 發(fā)表于：6/3/2025 Intel力拼2027年打造HBM內(nèi)存替代方案 6月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Intel將與軟銀合作，共同開(kāi)發(fā)一種可取代HBM內(nèi)存的堆疊式DRAM解決方案。 雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司，將基于英特爾的技術(shù)和東京大學(xué)等日本學(xué)術(shù)界的專利，共同打造原型產(chǎn)品。 該合作的目標(biāo)是在2027年前完成原型設(shè)計(jì)，并評(píng)估量產(chǎn)可行性，力爭(zhēng)在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。 發(fā)表于：6/3/2025 中國(guó)科學(xué)院物理研究所發(fā)現(xiàn)超帶隙透明導(dǎo)體 6 月 2 日消息，據(jù)中國(guó)科學(xué)院物理研究所官網(wǎng)，透明導(dǎo)體兼具導(dǎo)電性與透明性，廣泛應(yīng)用于觸控屏、太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、電致變色和透明顯示等光電器件，成為現(xiàn)代信息與能源技術(shù)中不可或缺的核心材料。 發(fā)表于：6/3/2025 消息稱瑞薩電子放棄生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體 6 月 3 日消息，《日經(jīng)亞洲》日本當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 29 日?qǐng)?bào)道稱，瑞薩電子已放棄制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體，原定于 2025 年初在群馬縣高崎市工廠啟動(dòng)生產(chǎn)的計(jì)劃破滅，相關(guān)生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)已于今年早些時(shí)候解散。 發(fā)表于：6/3/2025 銀河通用發(fā)布全球首個(gè)產(chǎn)品級(jí)端到端具身FSD大模型 6月1日消息，銀河通用發(fā)布全球首個(gè)產(chǎn)品級(jí)端到端具身 FSD 大模型 —— TrackVLA，一款具備純視覺(jué)環(huán)境感知、語(yǔ)言指令驅(qū)動(dòng)、可自主推理、具備零樣本（Zero-Shot）泛化能力的具身大模型。 發(fā)表于：6/3/2025 我國(guó)科學(xué)家利用溫加工方法制備高性能半導(dǎo)體薄膜 6 月 2 日消息，據(jù)中國(guó)科學(xué)院官方微博轉(zhuǎn)中國(guó)科學(xué)報(bào)報(bào)道，中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所史迅研究員、陳立東院士團(tuán)隊(duì)，聯(lián)合上海交通大學(xué)魏天然教授團(tuán)隊(duì)，發(fā)現(xiàn)一類特殊的脆性半導(dǎo)體在 500K 下具有良好的塑性變形和加工能力，并建立了與溫度相關(guān)的塑性物理模型，在半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)了類似金屬的塑性加工工藝，為豐富無(wú)機(jī)半導(dǎo)體加工制造技術(shù)、拓展應(yīng)用場(chǎng)景提供了重要支撐。相關(guān)研究成果已發(fā)表于《自然 - 材料》。 發(fā)表于：6/3/2025 義傳科技選用晶心科技RISC-V處理器以提升5G O-RAN效能 致力于5G/B5G/6G 無(wú)線接取網(wǎng)絡(luò)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商義傳科技，基于AndesCore AX45MP作為其MT5824 5G O-RAN平臺(tái)的核心處理器——已打造出業(yè)界體積最小、最低功耗的4T4R O-RU軟件定義無(wú)線電（SDR）解決方案。 發(fā)表于：6/3/2025 ?…41424344454647484950…?
