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快訊

Intel高層認為晶圓廠控制權交給臺積電是個可怕的錯誤

2月18日消息，近期關于英特爾的傳聞不斷，有說英特爾將與臺積電成立合資制造企業(yè)的，也有稱英特爾將被博通和臺積電“瓜分”的，基本都是各種唱衰英特爾聲音。對此英特爾公司硅光子集團首席項目經理Joseph Bonetti 感到非常不爽，并在LinkedIn上發(fā)文稱，英特爾將憑借Intel 18A與High-NA EUV重新奪回工藝技術領先地位，其晶圓代工業(yè)務也將贏得大客戶，而如果將英特爾晶圓代工廠的控制權交給臺積電，將會是一個可怕的、令人沮喪的錯誤。

發(fā)表于：2/20/2025 10:03:13 AM

韓國將建全球最大AI數據中心

2 月 19 日消息，據《首爾經濟日報》今日報道，韓國正在建設世界最大規(guī)模的 AI 數據中心。這座數據中心將擁有 3GW 電力容量，預計總投資高達 350 億美元

發(fā)表于：2/20/2025 9:53:19 AM

2027年全固態(tài)電池逐步進入主流應用階段

作為新能源汽車市場的新標桿,多家頭部主機廠正寄望于固態(tài)電池技術突破，以持續(xù)強化產品競爭力。 “在固態(tài)電池方面的進展，公司計劃于4月（廣汽）科技日上具體披露。”2月19日，廣汽埃安方面告訴財聯社記者。記者得到的一份建設項目環(huán)境影響報告顯示，編號為79szn9的廣汽埃安新型電池（固態(tài)、圓柱）技術開發(fā)項目本月已完成審批。

發(fā)表于：2/20/2025 9:45:01 AM

三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工藝被判刑7年

2月19日，韓國首爾中央地方法院第25刑事部（主審法官池貴淵）以違反《防止信息泄漏及保護產業(yè)技術相關法律》為由，對因涉嫌向中國企業(yè)泄露韓國核心半導體技術的三星電子前高管金某一審判處有期徒刑7年。同時被起訴的原分包商員工方先生和金先生也分別被判處2年6個月有期徒刑和1年6個月有期徒刑。

發(fā)表于：2/20/2025 9:35:37 AM

英偉達28%營收來自新加坡但實際商品交付僅1%

2月19日消息，據彭博社報道，在今年1月底美國展開對于DeepSeek 是否通過新加坡的中介違規(guī)獲得對華禁售的英偉達（Nvidia） AI GPU的調查之后，新加坡貿易和工業(yè)部第二部長 Tan See Land 近日發(fā)布聲明稱，英偉達在新加坡的所有銷售額中只有約1%產品真正進入了該國。

發(fā)表于：2/20/2025 9:28:35 AM

龍芯新一代8核桌面處理器3B6600上半年流片

2月17日，龍芯中科披露的投資者關系活動記錄表顯示，該公司正在研制下一代桌面芯片3B6600。根據此前官方公開的資料，龍芯3B6600將繼續(xù)使用成熟工藝，架構內核升級為全新的LA864，共有八個核心，同頻性能相比LA664架構的龍芯3A6000大幅提升30%左右，躋身世界領先行列。龍芯3B6600的主頻預計仍然是2.5GHz，但是通過單核睿頻技術，一般可以再提升20%，將有望達到3.0GHz。

發(fā)表于：2/20/2025 9:15:33 AM

SEMI：2024年全球半導體硅片營收115億美元

2月19日消息，國際半導體產業(yè)協(xié)會（SEMI）統(tǒng)計，2024年全球半導體硅晶圓（半導體硅片）出貨量達1.2266億平方英寸（million square inch，MSI），同比下滑減2.7%，整體銷售額達115億美元，同比減少6.5%，創(chuàng)4年來新低。

發(fā)表于：2/20/2025 9:08:05 AM

Omdia：是無線接入網RAN市場衰退期結束

2月19日晚間消息，Omdia最新研究結果顯示，華為仍是無線接入網（RAN）領域的第一名，該市場去年價值約350億美元。 2023年，華為擁有全球RAN市場31.3%的份額。去年，由于“更有利的地區(qū)組合以及新興市場的市場份額增加”，這一比例有所增長，Omdia的首席分析師雷米·帕斯卡（Remy Pascal）表示。

發(fā)表于：2/20/2025 8:59:15 AM

大聯大品佳集團推出基于達發(fā)科技（Airoha）產品的LE Audio耳機方案

　　2025年2月19日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下品佳推出基于達發(fā)科技（Airoha）AB1571D、AB1571AM和AB1565AM產品的LE Audio耳機方案。

發(fā)表于：2/19/2025 11:35:14 PM

第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性

　　本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅（SiC） MOSFET 技術。基于在碳化硅創(chuàng)新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。

發(fā)表于：2/19/2025 10:35:00 PM

瑞薩推出RA4L1 MCU，超低功耗、集成電容式觸控、段碼LCD和強大安全功能

　　2025 年 2 月 19 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出RA4L1微控制器（MCU）產品群，包含14款集成超低功耗、先進安全功能和段碼LCD支持的全新產品。基于支持TrustZone的80MHz Arm Cortex-M33處理器，新款MCU在性能、功能和節(jié)能方面達到了行業(yè)先進水平，為水表、智能鎖、物聯網傳感器應用等領域的設計人員提供更加卓越的解決方案選擇。

發(fā)表于：2/19/2025 10:19:29 PM

新款R&S SMW200A 和R&S SMM100A 矢量信號發(fā)生器的EVM 性能顯著提升

?　　羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”）升級了業(yè)界領先的R&S SMW200A矢量信號發(fā)生器及其同系列中端產品R&S SMM100A。升級后的R&S SMW200A在誤差矢量幅度（EVM）性能方面有了大幅提升，成為5G NR FR3 研發(fā)測試和高要求射頻應用（如功放測試）的理想之選。該儀器還添加了射頻線性化軟件新選件，通過數字預失真來優(yōu)化高輸出功率下的EVM。同時，R&S SMM100A也進行了升級，提升了 EVM性能。

發(fā)表于：2/19/2025 9:54:30 PM

CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導體領域的增長

氮化鎵（GaN）功率器件的領先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。

發(fā)表于：2/19/2025 2:07:40 PM

三星目標2028年推出LPW DRAM內存

2 月 19 日消息，據韓媒 SEDaily 現場采訪報道，三星電子 DS 部門首席技術官 Song Jai-hyuk 美國加州舊金山當地時間 17 日在 IEEE ISSCC 2025 國際固態(tài)電路會議全體會議上表示，首款針對設備端 AI 應用優(yōu)化的 LPW DRAM 內存產品將于 2028 年發(fā)布。

發(fā)表于：2/19/2025 1:02:08 PM

Altera被曝將易主銀湖資本

2 月 19 日消息，彭博社今天（2 月 19 日）發(fā)布博文，報道稱私募巨頭銀湖資本（Silver Lake Management）正與英特爾進行深入談判，計劃收購其可編程芯片部門 Altera 的多數股權。

發(fā)表于：2/19/2025 11:27:01 AM

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