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| 所屬分類：教程|講義 | |
| 上傳者：serena | |
| 文檔大小：1435 K | |
| 標(biāo)簽： Intel FPGA IFTD | |
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| 文檔介紹：Stratix® 10系統(tǒng)級封裝(SiP)器件體系結(jié)構(gòu)非常適合實(shí)現(xiàn)高性能固網(wǎng)應(yīng)用，包括100G至400G數(shù)據(jù)包處理、流量管理、交換/橋接和匯集、深度數(shù)據(jù)包探查(DPI)，以及其他相關(guān)的固網(wǎng)應(yīng)用。充分發(fā)揮Stratix 10器件的數(shù)據(jù)通路大吞吐量、增強(qiáng)邏輯和存儲器容量以及優(yōu)異的串行互聯(lián)能力，企業(yè)、服務(wù)提供商和數(shù)據(jù)中心環(huán)境中的高性能線路卡，以及軍事、工業(yè)、服務(wù)器和計(jì)算/存儲應(yīng)用中的可編程和大計(jì)算量應(yīng)用都將大幅度提高解決方案的適用性，實(shí)現(xiàn)其最佳性能。Stratix 10 SiP最近新增的一項(xiàng)資源是增加了兩個大容量嵌入式SRAM，即，eSRAM。Stratix 10 SG210中的兩個多通道例化，每一個的容量高達(dá)40 megabits (Mb)，現(xiàn)在作為獨(dú)立的快速通路/低延時(shí)存儲器集成到了現(xiàn)有的存儲器體系結(jié)構(gòu)中，并且與內(nèi)核邏輯架構(gòu)緊密耦合，非常適合高隨機(jī)會話率(RTR)性能關(guān)鍵的應(yīng)用，也可以用于補(bǔ)充/保護(hù)通用M20K SRAM。 | |
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