| 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的基本特性與驅(qū)動 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：hbcxzcj | |
| 文檔大小：393 K | |
| 標(biāo)簽： IGBT 晶體管 | |
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| 文檔介紹：摘要：IGBT 的全 稱是Insulate Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極晶體管。它兼具MOSFET和GTR的多項優(yōu)點，極大的擴展了半導(dǎo)體器件的功率應(yīng)用領(lǐng)域。例如將之應(yīng)用于變頻空調(diào)逆變電路當(dāng)中，顯著地改善了空調(diào)的性能。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。 | |
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