</a>28nm" title="28nm">28nm" title="28nm">28nm最小線寬修改，并使其電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal1)。
　　
　　看好28nm制程可帶來更高效能、低功耗以及尺寸更輕薄短小的IC產(chǎn)品，業(yè)界大廠業(yè)界大廠紛紛導(dǎo)入。臺積電在2011底率先量產(chǎn)28奈米制程產(chǎn)品，并預(yù)估今年28nm制程產(chǎn)品將達(dá)到整體營收的10%。聯(lián)電近期也傳出接獲數(shù)間大廠的28nm訂單，進(jìn)入試產(chǎn)階段。緊追在后的三星電子及格羅方德(Globalfoundries)，也各自有其在先進(jìn)制程上的布局。
　　
　　不過，28nm制程亦有技術(shù)上的挑戰(zhàn)。宜特科技可靠度與FIB工程處副總經(jīng)理崔革文表示，28nm在設(shè)計(jì)與布局上的復(fù)雜度大幅升高，并且很難有一套通用的可制造性設(shè)計(jì)(DFM)模型來確保設(shè)計(jì)與布局的正確性，將導(dǎo)致IC設(shè)計(jì)業(yè)者須進(jìn)行更為頻繁的光罩改版，增加時間成本與金錢成本的負(fù)擔(dān)，一套28nm光罩要價(jià)近2億臺幣，是40nm的好幾倍，往來重新下光罩亦需一個多月。因此，許多業(yè)者采FIB(Focusedionbeam，聚焦離子束)線路修改技術(shù)，藉此省去光罩改版的時間與金錢成本。
　　
　　宜特科技從2010年起展開28奈米IC線路修改的研究與布局，針對最底層(Metal1)的極小線路作修改測試，并從極小間距中，研究如何設(shè)定正確參數(shù)將訊號引出，還可利用獨(dú)有的低阻值連線技術(shù)(宜特已有中華民國專利)，克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真，目前在各個環(huán)節(jié)上均已完成驗(yàn)證，技術(shù)能量已可滿足目前所有先進(jìn)制程產(chǎn)品的除錯與驗(yàn)證需求。
　　
　　除了擁有技術(shù)外，宜特也在這兩年建造完成國內(nèi)唯一同時擁有可勝任40nm與28nm線路修改的實(shí)驗(yàn)室，除了一般的Front-sideFIB技術(shù)外，亦可支援Back-sideFIB線路修改技術(shù)。
　　
　　Back-sideFIB是從IC晶片的背面(即矽基材端)來進(jìn)行線路修改，該相關(guān)技術(shù)近年來受到高度矚目，其需求亦日益趨多。特別在連線密度與I/O數(shù)都特別高的28nm制程上，由于需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(FlipChip)形式，宜特預(yù)期使用Back-sideFIB線路修改將成為未來主流。