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IR 推出采用4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

為DC-DC應用提供高密度緊湊型解決方案
2014-12-16
來源:IR

    全球功率半導體管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能,使其可用于更低功率的緊湊型設計,適合12V輸入DC-DC同步降壓應用,包括先進的電信和網絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。

    IRFH4257D采用IR的新一代硅技術和封裝專利技術,以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ,帶來一流的功率密度和更低的開關損耗。

    IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“與IR的其它FastIRFET器件一樣,IRFH4257D可與各種控制器或驅動器共同操作,為單相位或多相位應用提供靈活的設計,同時實現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列,設計師可選擇能滿足其設計要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”

     IRFH4257D符合工業(yè)級標準和第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準,所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛,并符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 。

規(guī)格

器件

PQFN

封裝尺寸

電流

額定值

4.5V下的典型/

最大導通電阻

4.5V下的典型QG (nC)

4.5V下的典型QGD  (nC)

IRFH4257D

4x5

25A

3.7 / 4.6

1.65 / 2.1

10

23

3.4

7.6

產品現(xiàn)正接受批量訂單。相關數據請瀏覽IR網站www.irf.com

IR簡介

    國際整流器公司(簡稱 IR,紐約證交所代號 IRF)是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗(電機是全球最大耗能設備),是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。

    IR 成立于 1947 年,總部設在美國洛杉磯,在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站:www.irf.com,中國網站:www.irf.com.cn

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