美國羅格斯大學(xué)（Rutgers University）和美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所（National Institute of Standards and Technology，NIST）發(fā)表論文稱，有望將光路微細(xì)化至與現(xiàn)有電子電路同等的水平。據(jù)介紹，已有把握利用“Gap Plasmon（GP）”（電子與電磁場耦合的縱波在金屬之間的縫隙中傳播）現(xiàn)象，將現(xiàn)有最小的光調(diào)制器尺寸再減少至1/10。 
       NIST等此次試制出了利用GP的光相位調(diào)制器。GP可以傳播用兩根金屬線夾住絕緣體（空氣或者稀薄的SiO2等）的MIM（Metal-Insulator-Metal）型“光布線”信號。相當(dāng)于光布線核心的絕緣體的厚度約為200nm，調(diào)制器的長度約為23μm。 
       尺寸可進(jìn)一步降至1/10 
       此次試制的光調(diào)制器尺寸在現(xiàn)有的試制例子中已經(jīng)非常小了，不過還有幾個競爭對手。NIST等表示，數(shù)值計(jì)算結(jié)果表明，即使將此次試制品的尺寸降至1/10也可照常使用。 
       具體是采用兩根絕緣體厚度為17nm、金屬線寬度為100nm的MIM型光布線，設(shè)計(jì)尺寸為2.5μm×0.3μm×0.217μm的Mach-Zehnder（MZ）調(diào)制器，然后通過模擬對其特性進(jìn)行檢測。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，其工作損耗與實(shí)際制作的23μm長調(diào)制器幾乎相同。 
       這款MZ調(diào)制器中采用的MIM型光布線的100nm這個尺寸，可與約15年前的半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)規(guī)則匹敵。假如能夠進(jìn)一步降低金屬線的寬度，可以讓線寬接近20nm左右，此次的論文中沒有提到這一點(diǎn)。光路也有望微細(xì)化至與最新的半導(dǎo)體技術(shù)同等的水平。