晶圓代工大廠臺積電(TSMC)近日宣布將推出精簡型、低功耗版本的16納米FinFET工藝，并公布其更先進納米工藝技術藍圖；臺積電預定自今年中開始量產最新的16納米FinFET Plus (16FF+)工藝，并在2016年展開10納米工藝生產。

　　在20納米芯片正式量產之后，臺積電宣布于2015年中開始量產 16FF+ 工藝，該公司并表示采用此新工藝的芯片性能可提升10%，功耗能比20納米芯片低50%，周期時間(cycle time)則是20納米芯片的兩倍。臺積電共同執行長劉德音(Mark Liu)并在于美國硅谷舉行的年度技術大會上表示，該公司新工藝到今年底將有超過50款芯片投片(tape-out)，包括應用處理器、繪圖處理器(GPU)以及汽車、網絡處理器。

　　“我們正處于一個關鍵時期──今日我們不只要推動各自公司的成長，還要推動對以往不存在之新公司的搜尋；”劉德音表示：“我們的消費性產品周期改變不多，改變的是產品設計與技術開發的節奏，在相同的時間框架之下，有越來越多工作必須要完成。”

　　劉德音指出，臺積電已經與ARM合作進行Cortex-A72處理器核心的開發，利用 16FF+ 工藝讓其性能達到Cortex-A15的3.5倍，而功耗則減少了75%；他并指出，臺積電與ARM將繼續在下一個工藝節點進行合作。

　　臺積電也開發了精簡型(compact)版本的16納米FinFET工藝，命名為16FFC，鎖定中低端智能手機、消費性電子產品與穿戴式裝置使用；該工藝能將功耗降低超過50%，達到0.55伏特，預計在2016下半年開始產品投片。

　　“在16FF與16FF+方面，已經在成本上有一些明顯的挑戰，我們預期每閘成本也會升高；”市場研究機構International Business Strategies執行長Handel Jones表示：“我認為他們已經藉由16FFC工藝承認了這一點，16FFC將會獲得不少青睞，特別是因為他們能提供低功耗版本。”

　　長時間以來臺積電與三星(Samsung)一直在16/14納米節點相互競爭──臺積電的16納米工藝與其他同業的14納米工藝性能相近，而三星則是在今年度的世界移動通訊大會(MWC)期間宣布其Galaxy S6智能手機將采用14納米芯片。臺積電的主管不愿意對市場競爭多做評論，而最后誰是贏家，從芯片產量可見分曉。

　　“三星聲稱他們已經開始量產(14納米工藝)，但我們還沒看到任何實際產品；”International Business Strategies的Jones提到了Exynos芯片：“如果三星現端段確實開始大量生產，他們就領先了臺積電。”

　　10納米工藝節點看點

　　臺積電的16納米工藝技術預定今年夏天量產，該公司也公布了眾所矚目的10納米工藝計劃；10納米工藝的邏輯閘密度會是16納米工藝的2.1倍，速度提升20%，功耗則降低40%。臺積電展示了采用10納米節點的256MByte容量SRAM，預計10納米節點將在2016年底開始生產，并透露有10家以上的伙伴正進行不同端段的設計。

　　“我們認為10納米將會是持久技術節點，臺積電也將加速10納米工藝進度，我認為這對產業界來說是一個很不錯的征兆；”Jones表示：“隨著10納米節點加速進展──他們可能最后會邁向8納米節點──臺積電將拉近與英特爾(Intel)的差距，我認為臺積電運勢正好。”

　　Jone指出，臺積電已經在16納米以及10納米技術投資115億至120億美元，這意味著該公司必須要有客戶到位；為了強化10納米工藝的承諾，臺積電將在2016年第二季進行一座新晶圓廠的10納米工藝設備裝機，并將在本季在一座現有晶圓廠移入10納米設備。

　　英特爾將會是臺積電在10納米工藝節點的主要競爭者，前者預期在接下來10~18個月量產10納米工藝；而兩者之間的競爭重點或許不在于量產時程，而是英特爾的設計實力以及制造技術方面的問題。“還不清楚誰會在16/14納米工藝領先，但我認為臺積電正積極嘗試在10納米節點超前；”Jone表示：“如果真是如此，臺積電追上了英特爾，屆時就要看臺積電的10納米與英特爾的10納米是否相同。”