微芯(Microchip)透過(guò)其子公司Silicon Storage Technology(SST)與GLOBALFOUNDRIES宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55奈米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPx)/RF平臺(tái)的SST 55nm嵌入式SuperFlash非揮發(fā)性記憶體(NVM)產(chǎn)品已通過(guò)全面認(rèn)證并開(kāi)始投放市場(chǎng)。

　　GLOBALFOUNDRIES結(jié)合分離閘極單元設(shè)計(jì)的55nm SuperFlash技術(shù)的制程認(rèn)證測(cè)試采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，這一制程技術(shù)也符合AEC-Q100 1級(jí)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)境溫度范圍為-40~125°C，耐用度達(dá)到100K燒寫/抹除次數(shù)，在150°C條件下可實(shí)現(xiàn)超過(guò)20年的資料保存年限。

　　根據(jù)IHS預(yù)測(cè)，2015年汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到310億美元，相較于2014年增幅可高達(dá)7.5%。而基于嵌入式快閃記憶體的半導(dǎo)體產(chǎn)品則在這一市場(chǎng)占有相當(dāng)大的比重。

　　配備eNVM技術(shù)GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平臺(tái)現(xiàn)已上市。該平臺(tái)技術(shù)備有一個(gè)自訂庫(kù)，包含針對(duì)特定微控制器(MCU)產(chǎn)品應(yīng)用有現(xiàn)成且經(jīng)優(yōu)化的eNVM IP模組，是一款可縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期的解決方案。