北海道大學的科學家開發(fā)出一種可利用磁、電訊號的元件，能為USB隨身碟等傳統(tǒng)記憶體元件提供2倍的儲存容量。

　　資訊儲存的方法一般分為兩種類型：電能或磁性。然而，如果找到一種材料分別具有電性與磁性的雙穩(wěn)態(tài)特性，就有可能讓相同體積的儲存容量增加一倍。

　　日本北海道大學(Hokkaido University)研究所的科學家們展示了鍶鈷氧化物(SrCoO x)材料的兩種形式：一種是絕緣非磁體，另一種是金屬磁體。藉由改變電化學氧化/還原的氧含量，就能切換這種材料的磁化狀態(tài)。

　　為此，研究小組開發(fā)出一種可在室溫空氣中安全使用鍶鈷氧化物的方法，它不至于讓鹼性溶液泄漏出來。這種方法只要在氧化鍶鈷層上施加鉭鈉薄膜即可。當3V電流施加在絕緣的SrCoO 2.5形式時，即可在3秒內(nèi)逆向切換至其金屬磁體形式SrCoO 3。

　　研究人員表示，只要讓元件變得更小，就能大幅縮短這種化合物在絕緣體與磁鐵之間切換的時間。