隨著GPU效能的提升，對(duì)顯卡存儲(chǔ)器的要求也越來(lái)越高，高頻寬、低延遲存儲(chǔ)器成為研發(fā)的熱點(diǎn)。在這方面，除了革命性的HBM顯卡存儲(chǔ)器之外，現(xiàn)有 GDDR顯卡存儲(chǔ)器還會(huì)繼續(xù)升級(jí)，美光主導(dǎo)的GDDR5X存儲(chǔ)器只是過(guò)渡版，下一代顯卡存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)將是GDDR6，預(yù)計(jì)2018年隨著DDR5標(biāo)準(zhǔn)問(wèn)世， 速率可達(dá)14-16Gbps。

　 　現(xiàn)在的GDDR5存儲(chǔ)器已經(jīng)發(fā)展到了8Gb顆粒、8Gbps速率，AMD、NVIDIA顯卡都已經(jīng)用上，NVIDIA的GTX 1080顯卡還率先采用GDDR5X，頻率10Gbps，后者也是JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，潛在目標(biāo)速率可達(dá)14Gbps，不過(guò)GDDR5X只有美光在搞，三星、 SK Hynix看起來(lái)是沒(méi)有打算推出GDDR5X。

　　在日前的Hot Chips 2016國(guó)際會(huì)議上，三星公開(kāi)討論了后GDDR5時(shí)代的顯卡存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)，提出新一代顯卡存儲(chǔ)器速率在14-16Gbps，電壓1.35V，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是在保持時(shí)鐘頻率1.75GHz的情況下，將數(shù)據(jù)頻率至少翻倍。

　　從三星給出的路線圖來(lái)看，下一代存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)會(huì)在2018年問(wèn)世，其中DDR5速率超過(guò)3Gbps，LPDDR5速率超過(guò)6Gbps，而GDDR5頻率超過(guò)14Gbps，而且新標(biāo)準(zhǔn)會(huì)更節(jié)能，LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)能效提升20%。

　　LP4X類(lèi)似GDDR5X，也是過(guò)渡型號(hào)，IO電壓降低到了0.6V，IO部分節(jié)能45%，總體節(jié)能18%。