全球最大半導體設備廠應用材料宣布,利用鈷金屬全面取代銅當作導線材料,以協(xié)助客戶全面推進至7奈米以下制程,并延續(xù)摩爾定律,目前將主要應用在邏輯芯片當中,也可望協(xié)助客戶在3D NAND架構中維持效能及良率。

由于智能手機及平板計算機需求廣大,顯示行動時代不斷需要更高規(guī)格配備,新應用也不斷發(fā)展,以高效能芯片如何突破現(xiàn)有速度、功耗更低及儲存空間更多為例,勢必就得不斷延續(xù)摩爾定律,從現(xiàn)有的10奈米制程節(jié)點向前演進至個位數(shù)奈米制程。

不過,10奈米以下制程技術含量高,且若用現(xiàn)有材料導電速度將會不如以往效率。 因此,應用材料昨(17)日宣布,將以鈷金屬在個位數(shù)奈米制程節(jié)點全面取代現(xiàn)有的銅金屬當作導線材料,導電效率有顯著提升。

應用材料半導體設備事業(yè)群金屬沉積產(chǎn)品部資深經(jīng)理陸勤表示,將現(xiàn)有的芯片為縮到7奈米及以下制程是目前在半導體歷史中最困難的技術挑戰(zhàn),產(chǎn)業(yè)界技術藍圖的精進有賴組件設計、制程技術及新材料的創(chuàng)新,因此應材耗時3年時間,研發(fā)出以鈷取代傳統(tǒng)銅的需要,以確保組件效能更高、良率更佳,維持客戶競爭力與推進技術藍圖的主要驅動力。

陸勤指出,以鈷金屬全面取代銅當作導線材料,將可能在7奈米制程進行學習階段,在5奈米制程客戶端有望全面導入。 在機臺部分可望持續(xù)沿用當前的Endura平臺,進行技術及零件升級即可采用鈷當作導線材料。

陸勤表示,Endura能在關鍵的阻障層及重晶層進行沉積,使制程先進的導線成為可能,當業(yè)界到達10奈米以下,島縣內非常的薄的薄膜就需要在控制良好的環(huán)境中,有夠精準材料工程及接口,這套系統(tǒng)能支持最多8個制程反應室,方便半導體廠能將各個制程技術同時整合在同一平臺上。