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應用角:云電源

2018-07-16

  云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數據的設備的電源的通用術語。在電信或傳輸應用中,云電源將為基帶單元和遠程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務器機群還需要大型不間斷電源,以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務器還將需要一個電源單元(PSU),以及眾多的DC-DC轉換器來提供負載點電源。

  由于物聯網顯著增加了捕獲某種數據的端點數(2017年付運約20億臺設備,比2015年增長54%),因此需要大量的存儲器來處理和存儲數據。為此,正在構建大型服務器機群,這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產生熱量,終將會有損耗。這種發熱如此之大,以至于導致冷卻成本是運行服務器機群的主要成本之一。這導致PSU制造商不斷尋求構建更高能效的PSU。此外,為了以更佳的能效降低冷卻成本,需要減小PSU的尺寸,從而使更多的服務器可以安裝在相同的空間中。

  傳輸這些數據的方式有很多種,但2019年部署的是下一代無線互聯5G。一旦5G技術得以充分利用,它將能夠提供比當前4G LTE網絡快10倍的速度。這種速度的提高需要更高的功率,這將使每個5G無線電中的功率MOSFET數增加約5倍。

  為此,安森美半導體提供高性能分立方案,以成功地實現云電源市場的高能效目標。相較上一代超級結器件,新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET系列使云電源能夠達到這更高的能效。SuperFETIII技術提供三種不同的版本:易驅動版本(Easy Drive)、快恢復版本(FRFET)和快速版本(FAST)。應用和拓撲結構將決定應該使用哪個版本來獲得最佳的能效。

  針對次級端,安森美半導體提供全系列中、低壓MOSFET,這些MOSFET已針對云電源進行了優化。T6技術為30V、40V和60V提供業界最低的RDSon。新的T8技術為25V、40V、60V和80V提供與T6相同的超低RDSon,同時進一步改善了開關參數。對于80 V、100 V和120 V,采用PTNG技術,提供出色的RDSon和體二極管性能。隨著制造商挑戰更高能效和強固性,他們開發出像安森美半導體的650及1200 V碳化硅(SiC)二極管這樣的器件,用于功率因數校正(PFC)級。

  隨著基于云的物聯網的急劇增加,云由最高能效的電源供電很重要。安森美半導體正盡己所能,提供25V至650 V的領先行業的MOSFET,并開發下一代半導體SiC。

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