Intel在SEMICON West上公布未來(lái)應(yīng)用于Chiplet的幾個(gè)黑科技, 大概率又是一個(gè)農(nóng)企率先引入然后被牙膏發(fā)揚(yáng)光大的東西
Co-EMIB
結(jié)合了EMIB芯片間的Bumps和Foveros芯片3D堆疊技術(shù), 結(jié)果就是以后在出現(xiàn)夸張密度的同時(shí)擁有低能耗高帶寬
官方視頻可以很好地幫助理解整個(gè)流程 https://www.youtube.com/watch?v=NZ8t2zdTo2c
ODI (Omni-Directional Interconnect)
這項(xiàng)新技術(shù)說(shuō)白了就是將上面EMIB和Foveros堆疊的概念引入Chiplet和Die內(nèi)部, 有Type 1, Type 2和Type 2特例三種配置方式
它能給堆疊上部芯片帶來(lái)更充足的供電, 降低芯片和基板之間的延遲, 同時(shí)提升帶寬, 目前還屬于研發(fā)階段
同樣也有官方視頻 https://www.youtube.com/watch?v=JZt4rqzGuHs
MDIO
Die/Chiplet之間的協(xié)議接口, 用來(lái)取代目前的AIB(Advanced Interface Bus)協(xié)議, Intel聲稱和TSMC上月公布的LIPINCON水平相當(dāng)
下面是2020年可以看到的10nm Chiplets晶圓和芯片實(shí)物, 這還只是開(kāi)始, 人家已經(jīng)開(kāi)始考慮2030年的設(shè)計(jì)了...
想象一下2個(gè)28C Die+8個(gè)HBM Stacks
