元旦節(jié)假日期間，國外知名博主在推特上透露了華為最新研發(fā)芯片的進(jìn)展。這名叫Teme（特米）的博主表示，華為下一代旗艦芯片“麒麟9010”將采用3nm工藝打造。
（截圖源自推特）
不過元旦假期結(jié)束，該名博主卻更改了自己的說法，也許是一開始搞錯(cuò)了，該博主表示：目前有兩款處理器正在研發(fā)中，其中麒麟9010將采用5nm ＋工藝，而麒麟9020則會(huì)采用3nm工藝。
（截圖源自推特）
按照之前華為受美國禁令顯示的回應(yīng)來看，華為在接下來的兩年里，5nm工藝都會(huì)是其手機(jī)產(chǎn)品的主力芯片。而根據(jù)臺(tái)積電和三星透露的3nm研發(fā)進(jìn)展，最快也要2022年才能落地。
縱觀各方3nm進(jìn)展，誰能替華為代工？
此前華為曾宣布要在新材料和終端制造方面突破技術(shù)瓶頸，同時(shí)還表示將會(huì)對(duì)華為海思繼續(xù)投資，未來將會(huì)有一個(gè)更為強(qiáng)大的海思?xì)w來，攻克難題，無非是時(shí)間問題、工藝問題以及成本問題。
結(jié)合華為旗下哈勃投資一直以來對(duì)數(shù)家國內(nèi)半導(dǎo)體的投資動(dòng)態(tài)來看，全面進(jìn)入芯片半導(dǎo)體領(lǐng)域或許不是一句空話。
眾所周知，華為因美國禁令限制，臺(tái)積電已經(jīng)無法再繼續(xù)為其供應(yīng)5nm芯片。但并不意味著華為會(huì)放棄更先進(jìn)芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)，只要晶圓代工廠擁有相應(yīng)的工藝制程技術(shù)，那么華為依然可以設(shè)計(jì)研發(fā)出來進(jìn)行流片測(cè)試，萬一以后禁令解除了，也不至于落后一程。
提到3nm工藝，放眼望去，目前全球只有三星和臺(tái)積電透露過相關(guān)信息。由于FinFET晶體管一度被認(rèn)為只能延續(xù)到5nm節(jié)點(diǎn)，因此三星計(jì)劃在3nm工藝研發(fā)上轉(zhuǎn)換賽道，采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET，多橋－通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。
此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。
具體來說，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45％，功耗降低50％，性能提升35％。
（圖片源自O(shè)Fweek維科網(wǎng)）
毫無疑問，這是三星在3nm節(jié)點(diǎn)上的一次“豪賭”。或許是為了扭轉(zhuǎn)此前5nm工藝落后的局面，大規(guī)模上馬GAA技術(shù)的手段明顯是較為激進(jìn)的，而這到底能否幫助三星追上臺(tái)積電，我們拭目以待。
另一方， 臺(tái)積電所透露的3nm工藝進(jìn)展看起來更加穩(wěn)當(dāng)，臺(tái)積電沒有像三星那樣選擇GAA晶體管技術(shù)，而是延續(xù)采納FinFET晶體管技術(shù)進(jìn)行開發(fā)。其3nm工藝與5nm工藝相比，相同功耗下性能提升約10～15％，相同性能下功耗減少約25～30％，前者邏輯區(qū)域密度提升1．7倍，但SRAM密度僅提升20％，模擬電路部分密度提升約10％，因此芯片層面上可能僅縮小26％左右。
在生產(chǎn)方面，臺(tái)積電的3nm晶圓廠坐落在臺(tái)灣南科園區(qū)，占地28公頃，位置緊鄰臺(tái)積電的5nm工廠。據(jù)悉，臺(tái)積電3nm項(xiàng)目投資超過6000億新臺(tái)幣，約為194億美元或者1347億人民幣，2020年開始建廠，2021年完成設(shè)備安裝，計(jì)劃3nm芯片在2021 年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2022 年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
美國禁令之下，華為3nm能否誕生很難說
先進(jìn)芯片的研發(fā)說到底只是證明企業(yè)是否有這個(gè)實(shí)力，那到底能不能生產(chǎn)上市或許就要看“命”了。華為要在臺(tái)積電和三星之間二選一無疑是個(gè)大難題，臺(tái)積電已經(jīng)被明確禁止替華為代工先進(jìn)制程，三星又怎會(huì)敢在這個(gè)風(fēng)口浪尖上出頭呢？
很明顯，特朗普時(shí)代我們看到的是美國不遺余力地打壓華為，從最早的元器件管控到一步步列入“實(shí)體清單”，到最后直接切斷臺(tái)積電與其之間的合作關(guān)系，華為的5G實(shí)力深深地動(dòng)搖了美國的科技霸權(quán)地位。
當(dāng)前正值美國大選交替之際，很多人將希望寄托于拜登上臺(tái)后對(duì)華寬松的政策。但實(shí)際上，是否打壓華為并不只是特朗普或拜登一個(gè)人的想法，而是整個(gè)美國科技霸權(quán)受到威脅時(shí)的慣用做法。真正想要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不受制于人，不被外國“卡脖子”，倒不如積極重視以前發(fā)展不足的地方，重新投入資源發(fā)展。