2020年12月29日，上海凱世通半導體股份有限公司（下文簡稱 “凱世通”或“KINGSTONE”）針對Advanced Ion Beam Technology, Inc.(下文簡稱“AIBT”)主體涉嫌違約的行為向香港行政區(qū)高等法院提起訴訟。目前香港高等法院已向AIBT公司發(fā)出法院傳票(High-court Civil Action number: HCA2181/2020)。據悉，此次訴訟為近年來首家大陸半導體設備公司對同業(yè)公司進行跨境法律維權起訴。
圖片來源：香港高等法院對AIBT公司的傳票
據雙方此前簽訂的協議規(guī)定，原告KINGSTONE擁有超越7nm技術的集成電路芯片離子注入機的原創(chuàng)設計與開發(fā)的技術及產品。被告AIBT憑借購買原告KINGSTONE原創(chuàng)設計并生產的離子注入平臺與其現有離子束系統（也是由KINGSTONE的創(chuàng)始團隊成員開發(fā)）相結合，以此確立其在離子注入技術領域中的領先地位。協議規(guī)定AIBT在3年內必須且不可逾越地從KINGSTONE購買相關產品，而由于AIBT違反條約直接逾越KINGSTONE與上游零部件供應商簽訂單，KINGSTONE在針對此違約事項與AIBT多次主動溝通無果后，向其正式提起訴訟。
圖片來源：香港高等法院對AIBT公司的傳票
相關人士表示，如果AIBT逾越KINGSTONE直接采購上游零部件、組裝并銷售相關產品，必然侵犯KINGSTONE的知識產權。離子注入設備作為芯片制造工序中關鍵一環(huán)，只有打破核心設備的進口依賴，才能最終實現“中國芯”的自主制造。在面臨國產化半導體設備遭受多方掣肘的背景下，KINGSTONE持續(xù)發(fā)力攻堅，現已擁有原創(chuàng)的超越7納米芯片半導體離子注入機技術，并實現我國半導體設備領域國產設備商用化重大突破。隨著半導體核心設備逐步實現中高端國產化，國產半導體設備領域也迎來了主導話語權，而加速產業(yè)國產化進程的同時，國內企業(yè)的海內外技術布局以及保護方面的意識也將顯著增強，這也將會引領產業(yè)搶占發(fā)展制高點，在新一輪國際競爭中贏得先機。