與非網(wǎng)6月18日訊 英特爾首席執(zhí)行官帕特?基辛格 （Pat Gelsinger） 于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三在美國(guó)消費(fèi)者新聞與商業(yè)頻道（CNBC）的座談會(huì)上表示，他預(yù)計(jì)半導(dǎo)體行業(yè)將迎來(lái) 10 個(gè)增長(zhǎng)的“好年景”。

　　“我預(yù)測(cè)還有10年的好日子在等著我們，因?yàn)槭澜缯兊迷絹?lái)越數(shù)字化，所有數(shù)字化的東西都需要半導(dǎo)體。”帕特？基辛格表示。

　　英特爾正為提高芯片產(chǎn)能大舉投資，比如計(jì)劃斥資200億美元在亞利桑那州建設(shè)一家芯片生產(chǎn)廠，以創(chuàng)造出即使在當(dāng)前全球芯片短缺緩解后仍可使用的產(chǎn)能。英特爾最近還宣布了成為“代工廠”或?yàn)槠渌局圃煳⑿酒墓镜挠?jì)劃。

　　蓋爾辛格周三還表示，英特爾將在年底前宣布在美國(guó)或歐洲建設(shè)另一座“巨型晶圓廠”的計(jì)劃。

　　巨頭紛紛擴(kuò)產(chǎn)

　　臺(tái)積電方面，宣布將在未來(lái)的10到15年內(nèi)，在美國(guó)新建6座芯片制造廠。整個(gè)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃中的第一座芯片制造廠于2021年6月2日動(dòng)工，預(yù)計(jì)該廠會(huì)在2024年投入生產(chǎn)。為此臺(tái)積電將斥資120億美元。

　　臺(tái)積電目前的建廠計(jì)劃正在高速執(zhí)行發(fā)展階段，臺(tái)積電CEO此前表示，臺(tái)積電未來(lái)三年的總投資額將高達(dá)1000億美元（折合人民幣約6379.6億元）。今年的資本支出也由此前次公布的250-280億美元，調(diào)升至300億美元，較去年大增74%。

　　韓聯(lián)社此前報(bào)道，韓國(guó)政府已批準(zhǔn)該國(guó)第二大芯片廠SK海力士的120萬(wàn)億韓元（約合1060億美元）投資計(jì)劃。該公司計(jì)劃建設(shè)一個(gè)新的半導(dǎo)體工廠園區(qū)，以緩解全球芯片市場(chǎng)供應(yīng)短缺的情況。

　　SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）此前的報(bào)告顯示，全球半導(dǎo)體行業(yè)有望連續(xù)三年創(chuàng)下晶圓設(shè)備支出新高。