K海力士宣布，開始啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片。
具體來看，已經(jīng)于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） ＊LPDDR4 移動端DRAM（動態(tài)隨機存儲器）產(chǎn)品。
此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點。SK海力士預計從下半年開始向智能手機廠商供應采用1a nm級技術的移動端 DRAM。
在此之前，SK海力士曾在生產(chǎn)1y nm級產(chǎn)品中部分采用了EUV技術，完成了對其穩(wěn)定性的驗證。這對采用EUV技術進行量產(chǎn)DRAM產(chǎn)品具有非凡的意義。
相比于前一代1z nm級工藝，1a nm級DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25％，帶來了生產(chǎn)效率的提升和更高的成本競爭力。1a nm級DRAM穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20％。SK海力士認為此次新產(chǎn)品進一步強化了低功耗的優(yōu)勢，助力碳排放量的減少，充分體現(xiàn)了SK海力士注重ESG（環(huán)境、社會、公司治理）經(jīng)營的精神理念。
啟用EUV技術光刻機閃存內(nèi)存芯片的還包括三星和美光，不過美光時間上要更晚一些，預計在2024年生產(chǎn)新的EUV內(nèi)存芯片。
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