在10月7日的舉行的“三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum）2021”活動上，三星披露了代工業(yè)務(wù)技術(shù)路線圖。除了全新的17nm工藝，還宣布將于2022年上半年量產(chǎn)3nm工藝，更先進(jìn)的2nm工藝將于2025年量產(chǎn)。

　　在先進(jìn)晶圓代工市場，英特爾雖然高調(diào)殺入，但趕上第一集團(tuán)仍需時日。作為當(dāng)前唯一一家能與臺積電分庭抗禮的廠家，三星此舉極具進(jìn)攻性。

　　三星晶圓代工部門總裁Choi Si-young表示：新冠疫情加速數(shù)字化，三星的客戶和伙伴將得以在適當(dāng)時機(jī)提供適當(dāng)技術(shù)，開發(fā)硅應(yīng)用的無限潛力。“我們將全面提供制造產(chǎn)能，在最先進(jìn)的技術(shù)方面維持領(lǐng)先，持續(xù)在應(yīng)用層面精進(jìn)技術(shù)。”

　　推出全新17nm工藝

　　在此次論壇上，三星宣布推出了全新的17LPV工藝，即Low Power Value的17nm工藝。

　　實際上，17LPV工藝就是28nm工藝的演進(jìn)版，其融合了28nm BEOL后端工序、14nm FEOL前端工序，也就是在28nm節(jié)點(diǎn)的基礎(chǔ)上，加入了14nm FinFET立體晶體管，只需不高的成本，就能享受后者的能效優(yōu)勢。

　　三星稱，17LPV工藝相比傳統(tǒng)28nm，芯片面積可縮小43%，可以帶來39%的性能提升或者49%的功耗降低。

　　三星17LPV工藝的量產(chǎn)時間沒有說，但三星已經(jīng)宣布第一個服務(wù)對象是ISP圖像信號處理器，屬于三星自家的CMOS傳感器產(chǎn)品線。

　　此外，三星還打造了14nm LPU工藝，即Low Power Ultimate，但并未透露詳情，可能也是28nm BEOL加上14nm FEOL。

　　2022年量產(chǎn)3nm

　　FinFET晶體管結(jié)構(gòu)潛力幾乎已經(jīng)被挖掘殆盡，為了在半導(dǎo)體工藝工藝上追趕上臺積電，三星在3nm工藝的研發(fā)當(dāng)中就率先引入了全新的GAA（Gate-all-around，環(huán)繞柵極）技術(shù)，并計劃于2021年下半年領(lǐng)先臺積電量產(chǎn)3nm。

　　雖然在今年上半年，三星宣布其3nm GAA工藝已成功流片（Tape Out），但是在三星代工論壇活動上，三星表示轉(zhuǎn)移到全新的GAA技術(shù)難度很高，3nm工藝將推遲到2022年上半年量產(chǎn)。三星的3nm工藝上還分為兩個版本，其中3GAE（低功耗版）將在2022年年初投入量產(chǎn)，3GAP（高性能版）則會在2023年年初批量生產(chǎn)。

　　對比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%，同功耗下性能提高30%，同性能下功耗降低50%。

　　2nm工藝或在2025年量產(chǎn)

　　2nm工藝沒有出現(xiàn)在公開路線圖上，但是三星代工市場策略高級副總裁MoonSoo Kang透露，2GAP工藝會在2025年量產(chǎn)。

　　這是三星第一次透露2nm工藝的規(guī)劃，但三星也警告說，新工藝進(jìn)度還要看客戶的規(guī)劃和部署，所以我們推測，2026年可能是見到三星2nm工藝產(chǎn)品上市的更合理時間。

　　臺積電方面的2nm工藝有望在2024年量產(chǎn)，領(lǐng)先三星一年左右。