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提升GaN SG HEMT性能:英飛凌推出全新EiceDRIVER? 1EDN71x6G HS 200 V單通道門極驅動器系列產品

2022-01-17
來源:英飛凌

  2022 年 1 月 17日,德國慕尼黑訊】最大化減少研發(fā)和成本的投入,以及確保中壓氮化鎵(GaN)開關的穩(wěn)健和高效運行,是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)設計的幾個核心要求。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)依照其戰(zhàn)略性設計GaN產品組合,不斷加強全系統(tǒng)解決方案,推出EiceDRIVER? 1EDN71x6G HS 200V單通道門極驅動器IC系列產品。新的系列產品不僅提升了CoolGaN?肖特基柵(SG)HEMT的性能,同時也可兼容其他GaN HEMT和硅MOSFET。該門極驅動器系列產品可廣泛應用于DC-DC轉換器、電機驅動器、電信、服務器、機器人、無人機、電動工具和D類音頻放大器等領域。

  

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  1EDN71x6G系列產品具有可選上拉和下拉驅動強度特性,無需柵極電阻即可實現(xiàn)波形和開關速度優(yōu)化,因此可使功率級電路布局面積更小,BOM元器件數量更少。驅動能力最強和開關速度最快的的驅動器產品(1EDN7116G)適用于多并聯(lián)的半橋組合電路。驅動能力最小和開關速度最慢的驅動產品(1EDN7146G)可用于需求dv/dt變化緩慢的應用,如電機驅動或小晶片GaN(高RDS(on)、低Qg)HEMTs。不僅如此,每款產品都有不同的消隱時間,并與最小建議死區(qū)時間、最小脈沖寬度和傳播延遲成正比。

  真差分邏輯輸入(TDI)功能不僅可消除低邊應用中由于接地反彈電壓而造成的錯誤觸發(fā)風險,還能讓1EDN71x6G能夠處理高邊側應用。此外,所有系列產品均采用有源米勒鉗位技術,該技術有非常強的下拉功能,可以避免感應開啟。這為抵抗柵極驅動器回路中的毛刺電壓提供了更強的魯棒性,尤其是在驅動具有高米勒比的晶體管時。

  此外,1EDN71x6G提供有源自舉鉗位,以避免在死區(qū)時間時對自舉電容過度充電。這實現(xiàn)了自舉電源電壓調節(jié),無需額外的調節(jié)電路即可對高邊側晶體管的柵極形成保護。如有需要(如在無法完全優(yōu)化PCB布局的情況下),該產品系列還可提供帶有可調負關斷電源的可編程電荷泵,以此取得額外的米勒感應導通抗擾度。

  供貨情況

  用于CoolGaN SG HEMT的1EDN7116G、1EDN7126G、1EDN7136G和1EDN7146G四款EiceDRIVER HS 200 V單通道柵極驅動器IC,現(xiàn)在可在PG-VSON-10套裝中訂購。更多相關信息請訪問www.infineon.com/eicedriver-1edn71x6x。

  

  關于英飛凌

  英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2021財年(截止9月30日),公司的銷售額達110.6億歐元,在全球范圍內擁有約50,280名員工。2020年4月,英飛凌正式完成了對賽普拉斯半導體公司的收購,成功躋身全球十大半導體制造商之一。

  英飛凌在法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX)和美國柜臺交易市場 OTCQX International Premier(股票代碼:IFNNY)掛牌上市。

  

  英飛凌中國

  英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,在中國擁有約2600名員工,已經成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業(yè)鏈,并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。





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