眾所周知，芯片制造是產(chǎn)業(yè)鏈條廠，周期長，門檻高的行業(yè)。芯片制造需要幾十上百種半導(dǎo)體設(shè)備，這些設(shè)備來自于不同的廠家，缺一不可。

同時這些設(shè)備都對應(yīng)著工藝節(jié)點，也就是制造精度，比如28nm、14nm、5nm。

并且芯片制造，是遵循木桶理論的，即芯片工藝，取決于最落后設(shè)備精度，這些設(shè)備中，工藝最差的設(shè)備，就決定了芯片精度。

一直以來，美國就在半導(dǎo)體設(shè)備上作文章，通過截斷某一種設(shè)備，來卡住中國大陸芯片制造的脖子，比如不允許ASML的EUV光刻機賣到中國大陸來，截止中國大陸的芯片工藝進入7nm。

所以國內(nèi)這幾年在半導(dǎo)體設(shè)備上不斷努力，就是希望能夠擺脫對國外設(shè)備的依賴，只領(lǐng)先國產(chǎn)設(shè)備，也實現(xiàn)高精度的芯片制造。

那么問題就來了，目前大陸的晶圓廠，如果不從國外采購半導(dǎo)體設(shè)備，使用純國產(chǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備，那么最高能夠生產(chǎn)幾nm的芯片？

近日有分析機構(gòu)提供了一張圖，展示了當(dāng)前芯片制造流程中，最關(guān)鍵的幾種設(shè)備，國產(chǎn)的精度是多少。

如上圖所示，最先進的是刻蝕機，中微的刻蝕機已經(jīng)達到了5nm的精度。而最落后的是光刻機，上海微電子的光刻機，僅實現(xiàn)90nm的精度。

其實絕大部分的國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備，其精度最高也是14nm，還有停留在28nm的、65nm的。

如果依據(jù)木桶理論，那么使用全國產(chǎn)設(shè)備，能夠生產(chǎn)出來的芯片，最高也就是90nm。肯定有人會說，光刻機可以多重曝光，90nm精度，可能也能夠達到28nm的精度，這其實是沒經(jīng)官方確認(rèn)的。

另外就算多重曝光達到28nm了，但涂膠顯影機還在65nm，這也就決定了最多也就是65nm的工藝。

很明顯，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的路還很漫長，我們要擺脫對國外半導(dǎo)體設(shè)備的依賴，還差得遠，還需要繼續(xù)努力。

這還只是半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)，其實芯片制造中，還需要各種半導(dǎo)體材料、EDA、IP等等，上圖是同花順之前發(fā)布的一份關(guān)于芯片設(shè)計、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化率數(shù)據(jù)。

很明顯，在芯片制造上，我們要努力的地方還特別多，與國際頂尖水平的差距，真的還太遠，容不得半點馬虎啊。

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