去年底臺(tái)積電宣布3nm量產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年年中之后在終端層面開始大規(guī)模應(yīng)用。
隨后有業(yè)內(nèi)專家透露，臺(tái)積電3nm的良率可達(dá)80%，非常可觀。 然而，提前半年投產(chǎn)3nm的三星，則有些尷尬，據(jù)說良率僅20%。這個(gè)表現(xiàn)，難怪沒有大廠敢下單。
雖說三星上馬了GAA晶體管，技術(shù)難度高算是情有可原，然而和臺(tái)積電差距這么大顯然不是長久之計(jì)。
據(jù)DT報(bào)道，三星正在調(diào)整的一個(gè)優(yōu)化方案是，在3nm EUV光刻中引進(jìn)穿透率達(dá)90%的掩模保護(hù)膜，供應(yīng)商是本土公司S&S Tech。 EUV光刻與此案的ArF（氟化氬）曝光設(shè)備不同，光反射到鏡子后，再到晶片，因此光源損失很大。要想使光源損失降到最低，必須使用穿透率超過90%的EUV用保護(hù)膜，從而保護(hù)光罩。
三星這一調(diào)整，能否有效提高3nm GAA芯片的良率，還有待檢驗(yàn)。
更多信息可以來這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。