臺積電" target="_blank">臺積電攜手工業(yè)技術研究院（ITRI）在下一代 MRAM 存儲器相關技術方面取得突破性進展，成功研發(fā)出“自旋軌道力矩式磁性內(nèi)存”（SOT-MRAM），搭載創(chuàng)新運算架構，功耗僅為類似技術 STT-MRAM 的百分之一，成為臺積電搶占 AI、高性能運算（HPC）市場的新“殺手锏”。
業(yè)內(nèi)人士指出，伴隨著 AI、5G 時代來臨，自動駕駛、精準醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等場景應用，都需要更快、更穩(wěn)、功耗更低的新一代內(nèi)存。
磁阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）是一種非易失性內(nèi)存技術，采用硬盤中常見的精致磁性材料，能滿足新一代內(nèi)存需求，吸引三星、英特爾、臺積電等大廠投入研發(fā)。
臺積電目前已經(jīng)成功開發(fā)出 22 納米、16/12 納米工藝的 MRAM 產(chǎn)品線，并手握大量內(nèi)存、車用市場訂單，而本次臺積電乘勝追擊，再次推出 SOT-MRAM，會進一步鞏固其市場地位。
臺積電表示新款 SOT-MRAM 內(nèi)存搭載創(chuàng)新運算架構，功耗僅為 STT-MRAM 的 1%，相關研發(fā)成果領先國際，并在全球微電子元件領域頂尖會議國際電子元件會議（IEDM）上共同發(fā)表論文。
編者注：STT-MRAM 是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器 MRAM 的二代產(chǎn)品。STT-MRAM 存儲單元的核心仍然是一個 MTJ，由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成，它是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的。
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