1 月 21 日消息，Chosun 援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，三星電子代工廠已開(kāi)始針對(duì)其第二代 3nm 級(jí)工藝 SF3 進(jìn)行試生產(chǎn)。據(jù)報(bào)道，該公司計(jì)劃在未來(lái)六個(gè)月內(nèi)將良率提高至 60% 以上。

消息人士稱，三星正在測(cè)試 SF3 節(jié)點(diǎn)上制造的芯片的性能和可靠性；首個(gè)采用三星 SF3 工藝的芯片預(yù)計(jì)將會(huì)是專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的應(yīng)用處理器，計(jì)劃用于今年晚些時(shí)候發(fā)布的 Galaxy Watch 7 等產(chǎn)品。

同時(shí)，Chosun 預(yù)計(jì)該公司還將為明年的 Galaxy S25 系列智能手機(jī)所搭載的 Exynos 2500 芯片使用這一節(jié)點(diǎn)。

三星此前表示，計(jì)劃在 2024 年下半年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn) SF3 芯片；2023-2024 年將以 3nm 生產(chǎn)為主，即 SF3 (3GAP) 及其改進(jìn)版本 SF3P (3GAP+)，而且該公司還計(jì)劃于 2025-2026 年開(kāi)始推出其 2nm 節(jié)點(diǎn)。 

據(jù)三星介紹，SF3 節(jié)點(diǎn)可以在同一單元內(nèi)實(shí)現(xiàn)不同的環(huán)繞柵（GAA）晶體管納米片通道寬度，從而提供更高的設(shè)計(jì)靈活性。這也能夠?yàn)樾酒瑤?lái)更低的功耗和更高的性能，并通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)來(lái)增加晶體管密度。

通過(guò) TrendForce 數(shù)據(jù)獲悉，臺(tái)積電去年第三季度占據(jù)了全球晶圓代工市場(chǎng) 57.9% 的份額。三星電子以 12.4% 的份額位居第二，兩家公司之間的差距超過(guò) 40 個(gè)百分點(diǎn)。