6月9日消息，據(jù)媒體報道，中國科學家成功開發(fā)出一種無疲勞鐵電材料，并在國際頂級學術(shù)期刊《Science》上發(fā)表研究成果。
傳統(tǒng)存儲芯片因鐵電材料存在讀寫次數(shù)限制，穩(wěn)定性隨使用時間推移而降低，這一問題長期制約著存儲芯片的進一步研發(fā)和應用。
研究團隊基于二維滑移鐵電機制，開發(fā)出一種新型的二維層狀滑移鐵電材料（3R-MoS2），該材料制備的存儲芯片有望突破讀寫次數(shù)限制，實現(xiàn)無限次讀寫。
該研究的核心在于利用"層間滑移"替代傳統(tǒng)鐵電材料的"離子移動"，通過AI輔助的跨尺度原子模擬分析，揭示了二維滑移鐵電材料抗疲勞的微觀物理機制。
實驗表明，采用該材料制備的鐵電芯片器件在經(jīng)歷400萬次循環(huán)電場翻轉(zhuǎn)極化后，電學曲線測量顯示鐵電極化仍未出現(xiàn)衰減。
此項技術(shù)不僅極大提升了存儲芯片的可靠性和耐久性，還有助于降低成本，提升存儲密度，未來有望在航空航天、深海探測等極端環(huán)境應用以及可穿戴設備、柔性電子技術(shù)等領域發(fā)揮重要作用。
傳統(tǒng)鐵電材料和二維滑移鐵電材料的疲勞特性
3R-MoS2鐵電器件的抗疲勞性能分析
3R-MoS2鐵電器件的疲勞特性
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