6月13日消息，DRAM大廠美光去年就宣布計劃在斥資6,000至8,000億日原在日本廣島興建DRAM新廠，預計2026年初動工、最快2027年底前完成廠房建設、機臺設備安裝并投入營運。
據了解，美光廣島DRAM新廠地點將緊鄰已建成的Fab15。新廠初期規劃為DRAM晶圓廠，未包含后段封裝及測試，產能將著重于HBM產品。同時，美光廣島DRAM新廠還將首導入極紫外光（EUV）光刻設備，生產先進1-Gamma制程的DRAM，后續也將導入1-Delta制程，因此EUV設備安裝數量將大幅增加，并多加采用調高無塵室。
至于廣島Fab 15是HBM晶圓量產廠區，負責前段晶圓生產及硅穿孔（TSV）制程，后段堆疊及測試制程由臺灣的臺中后段廠負責。另有市場消息傳出，隨著HBM需求擴張，臺灣OMT（One Mega Taiwan）明年起將加入HBM晶圓量產廠區，投入晶圓生產及TSV制程。
研調機構TrendForce指出，由于HBM市場需求蓬勃發展，且生產良率較低、晶粒尺寸較大等因素，相同位產出的HBM相較DDR5約需消耗3倍投片量，且會排擠傳統DRAM產能。
如果美光要加速HBM市場滲透，考慮到2025年產能已被客戶預訂一空，新廠建設需求勢在必行。同時，美光計劃到2025年HBM產品線市占率保持在20%~25%水平，目標提高至與傳統DRAM相當。
這次廣島新廠也獲得日本政府補貼，日本經濟產業省去年10月宣布將提供美光1,920億日原建廠及設備補貼，另針對生產成本最高補貼88.7億日元、研發成本最高補貼250億日元。
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