6月11日消息，據(jù)外媒tweaktown報(bào)道，英偉達(dá)（NVIDIA ）委托托三星、SK 海力士和美光等DRAM大廠開(kāi)發(fā)SoCEM 內(nèi)存模塊，但出乎意料的是，美光竟是第一家獲得量產(chǎn)批準(zhǔn)的公司。

據(jù)介紹，SoCEM 是由英偉達(dá)構(gòu)思的一種內(nèi)存模塊，由16個(gè)堆疊的LPDDR5X 芯片組成，每4個(gè)一組。雖然HBM 是AI GPU 的DRAM，但SoCEM 是一種連接到中央處理器（CPU）的DRAM。盡管SoCEM 連接到掌控整個(gè)系統(tǒng)的CPU，但其主要作用是輔助支持，確保AI 加速器達(dá)到峰值性能，而SoCEM 預(yù)期將納入英偉達(dá)明年發(fā)表的下一代AI 加速器Rubin GPU中。

與HBM 通過(guò)垂直硅通孔（TSV）的方式連接DRAM 不同，SoCEM 采用“打線接合”（wire bonding）的方式制造，以銅線連接16顆芯片。由于銅的熱傳導(dǎo)性高，能將每顆DRAM 芯片的發(fā)熱量降至最低。美光曾宣稱其最新低功耗DRAM 的電源效率比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高20%。

英偉達(dá)的下一代AI 服務(wù)器預(yù)計(jì)將配備四個(gè)SoCEM 模塊。以LPDDR5X 芯片數(shù)量計(jì)算，相當(dāng)于256顆芯片。業(yè)界認(rèn)為，美光較晚采用極紫外光（EUV）曝光設(shè)備，反而成為了能早于三星與SK 海力士供貨的原因。這意味著，美光不像競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手輕易以EUV 提升DRAM 性能，而是通過(guò)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新，在提升內(nèi)存性能的同時(shí)，確保更低的熱量產(chǎn)生。

業(yè)界正關(guān)注SoCEM 技術(shù)的擴(kuò)展性，而且極可能應(yīng)用于英偉達(dá)目前正開(kāi)發(fā)的個(gè)人超級(jí)電腦“Digits”。若Digits獲得廣泛采用，那么也有望推動(dòng)SoCEM 需求將會(huì)大幅成長(zhǎng)。

值得一提的是，有傳聞顯示，在今年三星的Galaxy S25 系列旗艦智能手機(jī)當(dāng)中中，美光供應(yīng)大部分初期的低功耗DRAM，超越三星自家半導(dǎo)體產(chǎn)品，也是美光首次成為三星智能手機(jī)的主要內(nèi)存供應(yīng)商。此外，美光早在2022年就率先開(kāi)發(fā)出全球首款LPDDR5X，并將其導(dǎo)入iPhone 15 系列。

業(yè)界預(yù)期，美光將通過(guò)其低功耗、低熱量產(chǎn)生的技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)大其HBM 市占率，因?yàn)槎询B的DRAM 芯片數(shù)持續(xù)增加，而堆疊本身就會(huì)帶來(lái)熱的問(wèn)題。目前三大內(nèi)存廠商預(yù)計(jì)下半年開(kāi)始量產(chǎn)12層堆疊HBM4、明年上半年推出16層堆疊HBM4。

一位設(shè)備廠業(yè)者透露，雖然美光進(jìn)入HBM 市場(chǎng)較晚，但憑借其散熱管理技術(shù)，以及作為美國(guó)企業(yè)的地緣優(yōu)勢(shì)，隨時(shí)都可能迎頭趕上。該公司目前在新加坡、日本廣島、美國(guó)紐約，以及中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中建設(shè)HBM 廠，使得公司今年資本支出高達(dá)140億美元，這也令業(yè)界猜測(cè)是否已經(jīng)從主要客戶取得穩(wěn)定訂單。