6 月 24 日消息，韓媒 BusinessKorea 報道，業(yè)內(nèi)人士透露 SK 海力士在 6 月 16 至 20 日在美國夏威夷舉行的 VLSI 2024 峰會上發(fā)表了有關(guān) 3D DRAM 技術(shù)的最新研究論文。

在這篇論文中，SK 海力士報告其五層堆疊的 3D DRAM 內(nèi)存良率已達 56.1%，實驗中的 3D DRAM 展現(xiàn)出與目前 2D DRAM 相似的特性。

據(jù)介紹，與傳統(tǒng)的 DRAM 水平排列內(nèi)存單元不同，3D DRAM 垂直堆疊單元，可以在相同空間內(nèi)實現(xiàn)更高的密度。

不過，SK 海力士指出，與 2D DRAM 的穩(wěn)定運行不同，3D DRAM 表現(xiàn)出不穩(wěn)定的性能特征，需要堆疊 32 到 192 層存儲單元才能實現(xiàn)普遍應(yīng)用。

三星正在開發(fā) 16 層堆疊 3D DRAM，并在今年 3 月的 MemCon 2024 展會上宣布計劃在 2030 年左右實現(xiàn) 3D DRAM 產(chǎn)品商業(yè)化應(yīng)用。